東芝、高周波IC向け最新SOIプロセス技術を開発：8GHzで最小雑音指数0.48dBを達成

東芝デバイス＆ストレージは、5G（第5世代移動通信）対応スマートフォンなどに向けた高周波スイッチ／低雑音アンプ（LNA）ICを製造するためのSOI（Silicon On Insulator）プロセス技術「TaRF11」を新たに開発した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

LNA、高周波スイッチ、制御回路をワンチップに集積

　東芝デバイス＆ストレージは2020年2月、5G（第5世代移動通信）対応スマートフォンなどに向けた高周波スイッチ／低雑音アンプ（LNA）ICを製造するためのSOI（Silicon On Insulator）プロセス技術「TaRF11」を新たに開発したと発表した。

　スマートフォンやWi-Fiなどの無線機器は、高速・大容量通信に向けて無線帯域が高周波化している。これに伴い、アンテナと受信回路間の信号ロスが増えている。こうした課題を解決するために、LNAの特性向上などが求められているという。

　同社は、高周波半導体向けに独自開発したSOI-CMOSフロントエンドプロセス「TarfSOI」を用い、高周波デバイスを製造してきた。TaRF11は、既存のプロセス技術「TaRF10」に比べて特性を改善した。

　例えば、TaRF11を用いて製造したLNA用MOSFETは、周波数8GHzにおける最小雑音指数（NFmin）が0.48dBである。TaRF10を用いた製品に比べると約0.3dBも改善している。また、これまでのように、LNAと高周波スイッチおよび、制御回路をワンチップに集積することができる。なお、製造はグループ会社「ジャパンセミコンダクター」で生産する。

新世代SOIプロセス（TaRF11）の主な仕様 （クリックで拡大） 出典：東芝デバイス＆ストレージ

　同社は引き続き、TarfSOIプロセスの高性能化に取り組む。その上で、7G〜10GHz帯のUWB（超広帯域無線システム）などに向けた高周波スイッチ／LNA ICなども開発していく計画である。