次世代半導体メモリの開発ロードマップ：福田昭のストレージ通信（193） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（20）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

MRAMとSTT-MRAMの開発企業が特に多い

　ロードマップの講演スライドでは、2013年から2023年までの製品と開発に関する実績と予測を、メモリの種類と西暦年ごとに企業のロゴマークと付帯情報の形で列挙していた。2013年だけは同年以前の開発実績を含んでいる。メモリの分類ではMRAMとSTT-MRAMは同じ行に、PCRAMとXPointは同じ行に、ReRAMとメムリスタは同じ行に、FeRAMとNRAMは同じ行に、eDRAMとeFLASHは同じ行にまとめていた。

次世代半導体メモリの開発ロードマップ。2013年から2023年までのロードマップを講演スライドで提示した。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」のスライド（クリックで拡大）

　MRAMとSTT-MRAMは開発を手掛けた、あるいは手掛けている企業が非常に多い。Everspin Technologies、Honeywell、Crocus Nano Electronics、SMIC、Avalanche Technology、ソニー、GLOBALFOUNDRIES、IBM、Samsung Electronics、Arm、IDT、Intel、UMC、TSMC、TDK、Gyrfalcon Technologyなどの企業がスライドには列挙されていた。

　PCRAMとXPointは、MRAMに比べると開発を手掛けた企業がずっと少ない。2013年頃にNumonyxとMicron Technology、Samsung Electronicsが登場した後は、2017年のIntel（3D XPointメモリの「Optane」）まで再登場を待たなければならない。2021年にはSTMicroelectronicsが埋め込み用PCRAMをマイコンで製品化した。

　ReRAMとメムリスタは、パナソニックとAdesto Technologiesが早くから開発を手掛けていた。最近ではCrossbar、富士通セミコンダクター、Microsemi、TSMC、Intelなどが新たに登場している。なお、富士通セミコンダクターはパナソニックのReRAM技術を導入しており、8Mビットの単体メモリを量産中である。

　FeRAMでは、Texas Instrumentsと富士通セミコンダクター、ラピスセミコンダクタ、Cypress Semiconductorなどが開発企業として列挙されている。NRAMは開発ベンチャーのNanteroのみである。

　eDRAMは、IBMとIntelがキャッシュ用に開発を継続してきた。eFLASHにはSamsung、UMC、Cypress、Infineon Technologies、STMicroelectronics、TSMCなどが挙がっているものの、ルネサス エレクトロニクスやNXP Semiconductors、SST（Silicon Storage Technology）などが掲載されていない。やや不十分なリストになっていると言える。

（次回に続く）

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