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» 2021年09月09日 17時00分 公開

インフィニオン、パナと第2世代GaNパワー半導体を共同開発へ650VのGaN HEMTを開発

Infineon Technologies(以下、Infineon)とパナソニックは2021年9月2日(ドイツ時間)、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の第2世代(Gen2)を共同開発/製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定だ。

[永山準,EE Times Japan]
 出典:Infineon Technologies

 Infineon Technologies(以下、Infineon)とパナソニックは2021年9月2日(ドイツ時間)、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の第2世代(Gen2)を共同開発/製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定で、高電力および低電力のスイッチング電源、再生可能エネルギー、モーター駆動といったアプリケーションをターゲットに、使いやすさと価格性能比の向上を目指す。

 両社は2015年にGaNパワー半導体開発での協業を発表。両社が共同開発した第1世代(Gen1)はInfineonが「CoolGaN」、パナソニックが「X-GaN」の名称で提供している。Infineonのパワー&センサーシステム部門のプレジデント、Andreas Urschitz氏は、「Gen2では、Gen1同様の高信頼性に加え、トランジスタの制御がさらに容易になり、8インチウエハー製造に移行したことでコスト面でも大幅に改善される」と説明している。

 また、GeN2は、Gen1同様、ノーマリーオフのGaN-on-Siトランジスタ構造を採用する。これは、ハイブリッドドレイン埋込みゲート注入トランジスタ(HD-GIT)構造の高い堅牢性と併せ、「これらのコンポーネントが市場で選ばれる製品となり、最も長期的に信頼できるソリューションの1つとなる」(同社)としている。

 Infineonは、「8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していく」と述べている。

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