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インフィニオン、パナと第2世代GaNパワー半導体を共同開発へ：650VのGaN HEMTを開発

Infineon Technologies（以下、Infineon）とパナソニックは2021年9月2日（ドイツ時間）、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の第2世代（Gen2）を共同開発／製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定だ。

» 2021年09月09日 17時00分公開

[永山準，EE Times Japan]

　出典：Infineon Technologies

　Infineon Technologies（以下、Infineon）とパナソニックは2021年9月2日（ドイツ時間）、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の第2世代（Gen2）を共同開発／製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定で、高電力および低電力のスイッチング電源、再生可能エネルギー、モーター駆動といったアプリケーションをターゲットに、使いやすさと価格性能比の向上を目指す。

　両社は2015年にGaNパワー半導体開発での協業を発表。両社が共同開発した第1世代（Gen1）はInfineonが「CoolGaN」、パナソニックが「X-GaN」の名称で提供している。Infineonのパワー＆センサーシステム部門のプレジデント、Andreas Urschitz氏は、「Gen2では、Gen1同様の高信頼性に加え、トランジスタの制御がさらに容易になり、8インチウエハー製造に移行したことでコスト面でも大幅に改善される」と説明している。

　また、GeN2は、Gen1同様、ノーマリーオフのGaN-on-Siトランジスタ構造を採用する。これは、ハイブリッドドレイン埋込みゲート注入トランジスタ（HD-GIT）構造の高い堅牢性と併せ、「これらのコンポーネントが市場で選ばれる製品となり、最も長期的に信頼できるソリューションの1つとなる」（同社）としている。

　Infineonは、「8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していく」と述べている。

SiCはウエハー品質が課題、GaNは統合がトレンドに
パワーエレクトロニクスは、GaN（窒化ガリウム）とSiC（炭化ケイ素）の採用によって、興味深い道を歩んできた。フランスの市場調査会社であるYole Developpement（以下、Yole）は、これらのワイドバンドギャップ材料の概観を発表した。
SiCは自動車、GaNはスマホが普及をけん引
パワーエレクトロニクスでは、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）などのワイドバンドギャップ（WBG）デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。
8インチGaN-on-Siの量産を実現した中国新興企業
中国のGaNパワーデバイスメーカーであるInnoscience Technology（以下、Innoscience）は「TECHNO-FRONTIER 2021」（2021年6月23～25日／東京ビッグサイト青海展示棟）で、同社が販売するディスクリート品やデモボードなどを展示した。
富士通ゼネラル、高耐圧GaNパワーモジュールを製品化
富士通ゼネラルの子会社である富士通ゼネラルエレクトロニクスは2021年6月15日、高耐圧GaN（窒化ガリウム）FETを用いたGaNパワーモジュールを開発し、2021年秋からサンプル出荷を開始すると発表した。
ST、「MasterGaN」として新たに2製品を追加
STマイクロエレクトロニクスは、シリコンベースのハーフブリッジゲートドライバーと、2個のGaN（窒化ガリウム）パワートランジスタを集積したSiP製品プラットフォーム「MasterGaN」として、新たに2製品を追加した。
NXPが150mm GaN工場を新設、RFチップの製造能力拡大
NXP Semiconductors（以下、NXP）は2020年9月、米国アリゾナ州チャンドラーに新設した150mm（6インチ）ウエハーのGaN工場の稼働を開始すると発表した。主に、5G（第5世代移動通信）無線システム向けの通信インフラ市場に注力しながら、将来的には6G（第6世代移動通信）への技術移行を目指していくという。