ST、「MasterGaN」として新たに2製品を追加：最大出力は45Wと150Wに対応

STマイクロエレクトロニクスは、シリコンベースのハーフブリッジゲートドライバーと、2個のGaN（窒化ガリウム）パワートランジスタを集積したSiP製品プラットフォーム「MasterGaN」として、新たに2製品を追加した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

GaNデバイス2個とゲートドライバー、保護回路を集積

　STマイクロエレクトロニクスは2021年8月、シリコンベースのハーフブリッジゲートドライバーと、2個のGaN（窒化ガリウム）パワートランジスタを集積したSiP（Silicon in Package）製品プラットフォーム「MasterGaN」として、新たに2製品を追加した。

　同社はこれまで、最大出力65〜400Wに対応する「MasterGaN1」や「MasterGaN2」および、「MasterGaN4」を供給してきた。耐圧650VのGaNパワートランジスタ2個と高電圧ゲートドライバーおよび、保護回路をワンパッケージに集積した製品である。高いスイッチング周波数で動作することができるため、電源の小型化を可能にした。

　新たに追加した製品は、最大出力が45W対応の「MasterGaN3」と、150W対応の「MasterGaN5」である。MasterGaN3は、オン抵抗がそれぞれ225mΩと450mΩという、2個の非対称型GaNトランジスタを搭載しており、ソフトスイッチングや動的整流コンバーターに適した製品。MasterGaN5は、オン抵抗が450mΩのGaNトランジスタ2個を搭載しており、LLC共振やアクティブクランプフライバックなどの回路構成に適した製品だという。

　この他、従来のMasterGaN製品と同様に、ロジック入力は3.3〜15Vの信号と互換性があり、マイコンやDSP、FPGA、ホールセンサーといった周辺部品を容易に接続することができる。また、保護機能として、ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト（UVLO）、ゲートドライバーのインターロック、過熱保護、シャットダウン端子などを内蔵した。

MasterGaN3とMasterGaN5の外観 出典：ST

　MasterGaN3とMasterGaN5はいずれも、外形寸法が9×9×1mmで、高電圧パッドと低電圧パッドの沿面距離が2mmを超える高電圧用途に適したGQFNパッケージを採用した。1000個購入時の単価は、MasterGaN3が約6.08米ドル、MasterGaN5は約5.77米ドルである。なお、それぞれの開発ボード「EVALMASTERGAN3」と「EVALMASTERGAN5」も用意している。