8インチGaN-on-Siの量産を実現した中国新興企業：TECHNO-FRONTIER 2021

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

　中国のGaNパワーデバイスメーカーであるInnoscience Technology（以下、Innoscience）は「TECHNO-FRONTIER 2021」（2021年6月23〜25日／東京ビッグサイト 青海展示棟）で、同社が販売するディスクリート品やデモボードなどを展示した。

　Innoscienceは2015年12月に設立されたIDM（垂直統合型デバイスメーカー）で、8インチのGaN-on-SiウエハーでGaN FETを量産している。現在の従業員数は1000人超。500件以上の特許を取得している。

GaNを作っても作っても足りない

　同社は2019年6月に低耐圧（〜200V）のGaN FETの量産を開始し、同年8月には650V品の量産もスタートした。中国・珠海と蘇州に工場があり、生産能力は珠海工場がウエハー4000枚/月、蘇州工場が6万5000枚/月。蘇州工場は2021年6月末に稼働を開始する。Innoscienceのグローバルマーケティング／セールス＆マーケティングでバイスプレジデントを務める樋口泰生氏によると、「中国では、GaNを採用した急速充電器の市場が爆発的に伸びている。65W、45Wクラスでは、GaNを採用すると価格が2〜3割上がるが、それでも小型なので、どんどん売れる。当社の工場でもGaN FETを作っても作っても足りない状況だ」と語る。

　InnoscienceのGaN FETは、ノーマリーオフ型（E-mode動作）。Qrr（逆方向回復電荷）がゼロでリカバリー損失がないという特長を持っている。ASMLと協業し、高精度のフィールドプレートを形成することで、低い動的オン抵抗を実現したとする。

左＝Innoscienceの歴史と工場の外観／右＝同社のGaN FETの特長。imecやASMLとも協業している（クリックで拡大）

　Innoscienceは、急速充電器以外では、TVなどの民生機器、産業用電源やデータセンター、基地局などをターゲットとする。

左・中央＝120Wや65Wの充電器用デモモジュール。「モジュールは、そのまま機器に組み込めるほどきっちり作りこんである」（樋口氏）／右＝ディスクリートのGaN FET。imecやASMLとも協業している（クリックで拡大）

　ドライバーICに関しては他社製のSiドライバーICを用いている。「ドライバー内蔵のGaNパワーデバイスは用意していない。内蔵すると自由度が低くなり、ノイズ対策がしにくくなるからだ。ただし、ドライバー内蔵品の開発も進めている」（樋口氏）

左＝InnoscienceのGaN FETを搭載した急速充電器も展示されていた／右＝8インチのGaN-on-Siエピウエハー。最先端のMOCVD（有機金属気相成長法）を導入しているという（クリックで拡大）

　樋口氏は、GaN搭載の急速充電器の量産が進んでいることで「GaN FETの値段もどんどん下がっている」と語る。「今はSi FETの2倍以下。4〜5年後には、Si FETと同等あるいはそれ以下に下がるのではないか」（同氏）