メディア
ニュース
» 2021年12月24日 11時30分 公開

ST、GaNパワー半導体で新たに2ファミリを投入電源の小型化や高効率化を可能に

STマイクロエレクトロニクスは、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体の新しい製品ファミリとして「G-HEMT」および、「G-FET」を発表した。新製品は民生機器や産業機器、車載機器向け電源の高効率化や小型化を可能にする。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

さまざまな仕様定格やパッケージの製品を追加予定

 STマイクロエレクトロニクスは2021年12月、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体の新しい製品ファミリとして「G-HEMT」および、「G-FET」を発表した。新製品は民生機器や産業機器、車載機器向け電源の高効率化や小型化を可能にする。

 G-HEMT製品ファミリの第一弾は「SGT120R65AL」。耐圧650Vで、オン抵抗は最大120mΩ、ドレイン電流能力は最大15Aである。ゲート駆動を最適化するためのケルビンソース端子を備えている。パッケージは小型で表面実装型のPowerFLAT 5×6HVで供給する。価格(1000個購入時の単価)は3.00米ドル。PCアダプターやUSB充電器、ワイヤレス充電器などの用途に向ける。

 耐圧650Vの「SGT120R65A2S」も開発中で、サンプル出荷を始めた。オン抵抗は最大120mΩで、パッケージはワイヤボンディングを使用しないラミネート型パッケージ「2SPAK」で供給する。また、オン抵抗が65mΩの製品として、パッケージにPowerFLAT 5×6HVを用いた「SGT65R65AL」と、2SPAKを用いた「SGT65R65A2S」も用意する。これらの製品は2022年後半に量産を始める予定。

 G-FET製品ファミリの第一弾は、カスコード型GaNトランジスタ「SGT250R65ALCS」である。オン抵抗は250mΩ、PQFN 5×6パッケージで供給する。2022年第3四半期(7〜9月)にサンプル出荷を始める計画である。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.