マスクROMの始まり（1950年代〜1960年代）：福田昭のストレージ通信（219） フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表（3）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

マスクROMの起源はpn接合ダイオードのアレイ

　ここで1つの疑問が生まれた。マスクROMはいつ、誰が発明したかである。それも程なく判明した。1957年にpn接合ダイオードをメモリセルとするROMのアイデアが米国特許として出願されていた。出願人はアメリカンボッシュアルマ（American Bosch Arma）、発明者はWen Tsing ChowとWilliam H. Henrichである。

　1957年だと、集積回路はまだ発明されていない。pn接合ダイオードは個別半導体素子であり、ボードに配線（ワード線とビット線）とダイオードを配置することで不揮発性メモリを構成していたと考えられる。このメモリはROMの原型と言えよう。ただしマスクROMではない。また、このアイデアが実用化されたのかどうかは残念ながら、分からなかった。

アメリカンボッシュアルマ（American Bosch Arma）が1957年12月に出願したROM特許（USP3028659、発明の名称は「Storage Matrix」）の図面［クリックで拡大］

1970年代初期には数多くの半導体企業がマスクROMを製品化

　コンピュータの歴史を記述したWebサイトとして知られる「Computer History Museum（コンピュータ歴史博物館）」によると、1965年にはバイポーラTTL技術による256ビットのマスクROMと、MOS技術による1024ビットのマスクROMが開発された（参考）。

フラッシュメモリと不揮発性メモリの主な出来事（1952〜1970年、改訂版）。下線部はマスクROMに関する出来事［クリックで拡大］

　「Computer History Museum」の記述によると1970年代初期には、バイポーラTTL技術によるマスクROMをインテル（Intel）やモトローラ（Motorola）、フェアチャイルド（Fairchild）などが製品化し、MOS技術によるマスクROMをAMDやAMI（American Microsystems, Inc.）、ゼネラルインストルメント（General Instrument）などが製品化した。その後、両技術のどちらが残ったのかを説明する必要はないだろう。

⇒（次回に続く）

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