Infineon Technologiesは2023年3月2日(ドイツ時間)、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを手掛けるカナダのGaN Systemsを8億3000万米ドルで買収すると発表した。
Infineon Technologies(以下、Infinoen)は2023年3月2日(ドイツ時間)、GaN(窒化ガリウム)パワーデバイスを手掛けるカナダのGaN Systemsを8億3000万米ドルで買収する正式契約に署名したと発表した。
GaN Systemsは、カナダのオタワに本社を置く2008年設立のGaNパワーデバイス専門メーカーで、HEMT(高電子移動度トランジスタ)構造を用いた650V耐圧、100V耐圧のGaNパワートランジスタを展開している。
同社は、民生機器、データセンター、再生可能エネルギー、ファクトリーオートメーション/モーター、車載と幅広い市場をターゲットとしていて、2023年1月に米国ネバダ州ラスベガスで開催された「CES 2023」においても電気自動車(EV)の7.2kWオンボードチャージャー(OBC)やスマートフォンおよびノートPC用充電器、D級オーディオシステムなど、各市場での採用事例などを紹介していた。
Infineonは、2015年のInternational Rectifier買収によってGaNパワーデバイスに関する製品/技術を獲得した。同年にはパナソニックとGaNパワー半導体開発で協業すると発表し、共同開発品の第1世代であるノーマリーオフのGaN-on-Siトランジスタ構造を採用した「CoolGaN」を展開。2021年には、パナソニックと第2世代品を共同開発/製造する契約を締結し、650V耐圧のGaN HEMTを2023年前半にも市場投入の予定と発表した。
InfineonのCEO(最高経営責任者)、Jochen Hanebeck氏は、「GaN Systemsの買収は、比類ない研究開発資源、アプリケーションの理解、顧客プロジェクトのパイプラインによって、当社のGaNロードマップを大幅に加速させることになる」と述べている。
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、パワーアプリケーション向けGaNデバイスの市場規模は2027年まで年平均成長率(CAGR)56%と大きく伸び、20億米ドルにまで拡大することが予測されている。こうした市場の需要拡大に向け、Infineonは2022年2月、マレーシアのクリムにある拠点にGaNおよびSiC(炭化ケイ素)半導体のフロントエンド新工場を建設すると発表するなど、製造能力の拡大を進めている。
この新工場からは2024年後半に出荷を開始する予定で、同工場の稼働によってSiC、GaNベースの製品で新たに年間20億ユーロの売り上げ増となる見込みという。
GaN SystemsのCEO、Jim Witham氏は、「GaN Systemsのチームは、Infineonと合流することで、補完的な強みを発揮し、高度に差別化された顧客サービスを提供できる。互いの専門知識によって、GaNの可能性を最大限引き出せるだろう。GaN Systemsのファンドリーの製造能力(GaN Systemsはファブレスメーカーで、TSMCをファウンドリーパートナーとしている)とInfineonの製造能力を組み合わせることで、幅広いターゲット市場で加速するGaN導入に対応するための最大限の成長能力を得られる」とコメントしている。
なお、今回の買収は、現金取引で行われる予定で、規制当局の承認を含む、通常の取引完了条件を満たすことが前提となっている。
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