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» 2022年02月18日 18時00分 公開

Infineon、20億ユーロでSiC/GaN半導体新工場を建設稼働は2024年を予定

Infineon Technologiesは2022年2月17日(ドイツ時間)、20億ユーロ(約2600億円)以上を投じてマレーシアのクリムにある拠点にSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)半導体のフロントエンドの新工場を建設する、と発表した。同社は、この新工場の稼働によって、「SiC、GaNベースの製品で新たに年間20億ユーロの売り上げ増が可能になる」としている。

[永山準,EE Times Japan]

年間20億ユーロの売り上げ増見込む

 Infineon Technologiesは2022年2月17日(ドイツ時間)、20億ユーロ(約2600億円)以上を投じてマレーシアのクリムにある拠点にSiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)半導体のフロントエンドの新工場を建設する、と発表した。同社は、この新工場の稼働によって、「SiC、GaNベースの製品で新たに年間20億ユーロの売り上げ増が可能になる」としている。

Infineon Technologiesのマレーシア・クリム拠点 出所:Infineon Technologies

 新工場は2022年6月に建設開始し、2024年夏には設備を搬入。出荷開始は2024年後半を予定している。同社は、「クリムへの投資は、特にエピタキシャルプロセスやウエハーシンギュレーションなど、重要な付加価値工程で構成される予定だ」としている。

 同社はSiC製品の生産を現在オーストリアのフィラッハ拠点で行っており、クリムの新工場が2番目の拠点となる。同社は2拠点でワイドバンドギャップ(WBG)半導体の大規模生産を行うことで、サプライチェーンを強靭化していく方針だ。なお、フィラッハ拠点については、「今後数年間、既存のシリコン用設備を転用することにより、WBG技術イノベーションの基盤およびグローバルコンピテンスセンターとして機能し続ける」とも説明している。

 Infineonは産業用電源、太陽光発電、自動車、電気自動車(EV)充電などを主なアプリケーションとして、既に3000社以上の顧客にSiCベースの製品を提供、SiCベースのパワー半導体の売上高を2020年代半ばに10億米ドルにすることを目標にしている。また、2020年の4700万米ドルから2025年には8億100万米ドルへと急成長が予測されているGaN市場に対しても、「最先端システムとアプリケーションへの理解、幅広いGaN IP(Intellectual Property)ポートフォリオ、大規模なR&D組織を有している」と強調している。

 InfineonのCOO(最高執行責任者)、Jochen Hanebeck氏は、「再生可能エネルギーと電動化がパワー半導体の力強く、持続的な需要増の主な要因となっている。InfineonのSiC/GaNの生産能力は、WBG市場の加速に対応するためのものだ。フィラッハの開発センターとコスト効率に優れたクリムでの生産を組み合わせ、WBGパワー半導体市場で勝利する」と述べている。

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