FLOSFIA、アンペア級で耐圧1700VのGaO SBDを開発：次世代EV、電力システム向け

FLOSFIAは、アンペア級の定格電流で耐圧1700Vのコランダム型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードを開発した。次世代EV（電気自動車）や電力システムの省エネ化、小型化に貢献できるという。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

ミストドライ法で品質の高いα-Ga₂O₃薄膜を作製

　FLOSFIAは2023年3月、アンペア級の定格電流で耐圧1700Vのコランダム型酸化ガリウムショットキーバリアダイオード（α-Ga₂O₃ SBD）を開発したと発表した。次世代EV（電気自動車）や電力システムの省エネ化、小型化に貢献できるという。

　FLOSFIAは、京都大学発の新しいパワー半導体材料である「酸化ガリウム（Ga₂O₃）」の普及に向け、損失が極めて小さく高耐圧で大電流に対応するGaOパワー半導体の開発、実用化に取り組んでいる。

他の半導体材料とα-Ga₂O₃の位置付けおよび、バンドギャップと絶縁破壊電界の特性［クリックで拡大］ 出所：FLOSFIA

　同社はこれまでに、市販SiC（炭化ケイ素）を用いた製品に比べ、オン抵抗を86％も低減した耐圧600／1200VのSBDを試作し、サンプル出荷を行ってきた。京都大学桂キャンパス近郊には、マザー工場も整備した。

　今回は、独自のミストドライ法により作製した高品質のα-Ga₂O₃薄膜を用いてSBDを開発した。電極サイズは0.96mmで、縦型構造とした。製造プロセスや終端構造などを最適化して試作したSBDについて検証し、「アンペア動作」や「耐圧1700V」といった特性を確認したという。

上図は今回開発したSBDの断面構造図（左）と顕微鏡写真（右）。下図は順方向特性（左）と逆方向特性（右） 出所：FLOSFIA