NXP、新パッケージ技術「Top-Side Cooling」採用：RFパワーアンプモジュールで

NXP Semiconductorsは、新たなパッケージ技術「Top-Side Cooling」を採用したRFパワーアンプモジュールを発表した。5G（第5世代移動通信）無線子局の小型化、薄型化、軽量化が可能となる。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

5G無線子局の小型化、薄型化、軽量化を可能に

　NXP Semiconductorsは2023年6月8日、新たなパッケージ技術「Top-Side Cooling」を採用したRFパワーアンプモジュールを発表した。5G（第5世代移動通信）無線子局の小型化、薄型化、軽量化が可能となる。

新型パッケージを採用したRFパワーアンプモジュールの外観 出所：NXP

　新型パッケージを採用したRFパワーアンプモジュールは、「A5M34TG140-TC」と「A5M35TG140-TC」および、「A5M36TG140-TC」の3製品。3.3GHzから3.8GHzをカバーする200Wの32T32R無線子局に向けて開発した。自社開発のLDMOSとGaN半導体を組み合わせることで、400MHzの帯域幅でゲイン31dB、効率46％を実現している。

　新型パッケージのRFパワーアンプモジュールを用いた無線ユニットは、上面冷却によりヒートシンク側にパワーアンプを実装することができる。また、コインと同じ機能を持つ金属を内蔵したことで、プリント基板にコインを入れる必要がなくなり、熱経路も簡素化した。これによって、ヒートシンクのサイズや重さを従来ユニットに比べ20％も削減できるという。少ないコネクター数と短い配線長により。RFロスも軽減した。

従来品と薄型の無線ユニットの構造比較［クリックで拡大］ 出所：NXP

　さらに、全ての部品をプリント基板と同じ面に実装でき、ヒートシンクで直接冷却することができる。ヒートシンクはシールド機能も備えている。このため、別途RFシールドをする必要がなく、コスト削減につながるという。熱経路とRF経路も分離した。