NXP、28nm RFCMOSワンチップレーダーSoCを発表：次世代ADAS、自動運転システム向け

NXP Semiconductorsは、28nm技術を用いたRFCMOSワンチップレーダーSoC「SAF85xx」を発表した。前世代製品と比べRF性能を2倍に、演算性能を最大40％向上させた。次世代ADAS（先進運転支援システム）や自動運転システムなどに用いるレーザーセンサー用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

前世代品に比べRF性能は2倍、演算性能は最大40％向上

　NXP Semiconductorsは2023年1月12日、28nm技術を用いたRFCMOSワンチップレーダーSoC（System on Chip）「SAF85xx」を発表した。前世代製品と比べRF性能を2倍に、演算性能を最大40％向上させた。次世代ADAS（先進運転支援システム）や自動運転システムなどに用いるレーザーセンサー用途に向ける。

SAF85xxの外観 出所：NXP

　同社はこれまで、レーダートランシーバーICとレーダーMCUを別チップの形で供給しており、顧客はこれらを組み合わせて、レーザーセンサーモジュールにする必要があった。同社にとって第3世代のRFCMOSレーダーICとなるSAF85xxは、高い性能を備えたレーダートランシーバーとS32Rレーダープロセッサを1チップに集積した製品である。

世代別のRFCMOSレーダープラットフォーム［クリックで拡大］ 出所：NXP

　自動運転への対応などにより、車載レーダーも急速に進化しているという。センシングする領域は従来の「フロント」や「リアコーナー」だけでなく、「フロントコーナー」や「リア」「サイド」など、全方位（360度）をセンシングする必要が出てきた。このため、自動車に搭載するセンサー数が増加し、複数の入力情報を高速に処理する必要がある。センサー自体もより遠くの物体を、より高い解像度で検出することが求められているという。

車載レーダーの進化［クリックで拡大］ 出所：NXP

　SAF85xxは、こうした市場のニーズに対応した。レーダートランシーバーは、出力が15dBm、雑音指数は10.5dBで、RFリンクバジェットは第2世代品に比べ2倍となり、コーナーレーダーで200m以上、フロントレーダーで300m以上という検出レンジをカバーする。

　レーダープロセッサはArmアーキテクチャを新たに採用した。第2世代製品はパワーPCアーキテクチャを採用しており、こうした変更もあって演算性能は最大40％向上したという。また、4Tx／4Rxアンテナをサポートする。従来の3Txシステムに比べ、高い解像度を実現できる。高度な4Dセンシングも可能となる。

　SAF85xxはセンサーモジュールの小型化にも貢献する。同社のパートナーであるsmartmicroがSAF85xxを用いて開発したセンサーモジュールは、外形寸法が5×5cmである。これは前世代品を搭載したモジュールに比べ、30％も小型化できたという。

SAF85xxを用いたsmartmicro製センサーモジュールの回路ブロックと外観［クリックで拡大］ 出所：NXP