GaN搭載のLED街灯で消費電力を37％削減、NTT-AT：街灯1000本で実証実験も実施

NTTアドバンステクノロジは「TECHNO-FRONTIER 2023」で、GaNを使用したFET搭載のUSB充電器やLED電灯向け電源ユニットを展示した。

[浅井涼，EE Times Japan]

　NTTアドバンステクノロジ（以下、NTT-AT）は「TECHNO-FRONTIER 2023」（2023年7月26〜28日／東京ビッグサイト）で、HEMT構造のGaN（窒化ガリウム）FET（GaN-HEMT）を搭載した製品を展示した。

　NTT-ATはGaN半導体エピタキシャルウエハー（エピウエハー）の製造と販売を行っている。低炭素化や省電力化の潮流を踏まえてGaN-HEMT搭載の製品ラインアップを拡充しており、ブースにはLED電灯向けの電源ユニットやUSB充電器を展示した。

GaN-HEMT搭載の製品［クリックで拡大］

データセンターや自治体のコスト削減に活用

　LED街路灯向け電源ユニットは、消費電力の削減とCO₂の削減に効果があることを確認している。従来のナトリウムランプ街灯からGaN-HEMT搭載電源および照明コントロール施策を施したLED街灯に交換することで、消費電力を最大37％削減できるという。電源部のみをシリコンからGaNに交換する場合では5％程度の消費電力削減効果を見込む。

　「ナトリウムランプからLED電灯への交換と併せて電源部もシリコンからGaNに交換すると、消費電力削減の大きな効果が見込める。自治体と連携して行った実証実験では、1000本の街灯にかかる年間コストを約500万円、CO₂排出量を約11トン削減できるという結果になった」（NTT-AT担当者）

GaN搭載のLED電灯向け電源ユニット［クリックで拡大］

　充電器や電灯向け電源ユニット以外には、データセンターでのサーバの電源など、発熱対策が重要となるケースでの利用を期待しているという。

　「100Wの直流電力を交流電力に変換する場合、シリコンでは5Wの損失が発生するところを、GaNでは0.75Wに抑えることができる。発熱も抑制されるため、ヒートシンクなど発熱対策の部材も少なく済み、全体のコスト削減につながる」（NTT-AT担当者）

　NTT-ATのGaN-HEMT搭載製品の強みについて、同社の担当者は「エピウエハーから（街灯や充電器のような）各用途の製品まで、顧客の需要に自社で対応できることだ」と説明した。