訪れた「酸化ガリウム時代の幕開け」 FLOSFIA社長：2024年にSBDを本格量産へ（2/2 ページ）

[半田翔希，EE Times Japan]

次世代パワー半導体は、酸化ガリウムが”本命材料”

――FLOSFIAから見たパワーデバイス市場について教えてください。その中で、α-Ga₂O₃は、どのような役割を担うのでしょうか。

人羅氏　パワーデバイス市場は、EV（電気自動車）での採用の増加に伴い急成長している。ここ2年ほどは、SiCパワーデバイスの採用実績も増えて、市場がしっかり形成され始めている。一方で、SiCやGaNのパワーデバイスは、想定よりも価格に下げ止まりが生じていることに加え、パワー半導体材料の安定供給にも課題が出てきている。このような背景から、SiCやGaN以外の次世代パワー半導体材料への注目度が高い。

　次世代パワー半導体材料としては、ダイヤモンドや窒化アルミニウムなども研究されている。中でもα-Ga₂O₃は、材料特性が非常に優れていることが分かっていて、ROI（投資対効果）の点でも群を抜いている。顧客からの期待の声も大きく、酸化ガリウムが“本命材料”として見られるようになってきた。SiCとGaNが次世代パワーデバイス市場を開拓する役目を担い、その市場を広げていく役目を担っているのが酸化ガリウムではないか。

――今後の目標と意気込みをお願いします。

人羅氏　2024年のGaO SBDの量産開始を皮切りに、電流や耐圧でバリエーションを増やしていく。並行してα-Ga₂O₃を使用したMOSFETの研究開発を進める他、酸化ガリウムの特長を最大限に引き出すようなパッケージング技術も併せて開発していく。

　ここ数年、当社はGaO SBDの量産開始に向けて本当に苦しんできた。振り返ると、いくつもの壁にぶつかりながら改善を繰り返し、やっと量産にたどり着いた。これからは、酸化ガリウムの時代が幕を開ける。苦しんできた期間が長かったため、「酸化ガリウムは本当に大丈夫なのか」と感じている人もいるかもしれない。しかし、この失われた数年間、たくさん努力と開発を重ね、成果を上げてきた。ぜひ、われわれの酸化ガリウムパワーデバイスに期待してほしい。