酸化イリジウムガリウム採用のSBD、23年内にもサンプル出荷へ：酸化ガリウムパワーデバイスの開発に進展

FLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2023」に出展し、最新の研究開発の成果を説明した。p型半導体「（IrGa）2O3（酸化イリジウムガリウム）」を用いたSBD（ショットキーバリアダイオード）は2023年内のサンプル出荷を目指していて、n型半導体を使用した酸化ガリウムSBDは同年内に量産開始を予定している。【訂正あり】

[半田翔希，EE Times Japan]

　京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2023」（2023年7月26〜28日／東京ビッグサイト）に出展し、最新の研究開発の成果を披露した。

　同社は、ミスト（霧）を活用して薄膜を原子層レベルで積層していく成膜技術「ミストドライ法」や、同製法を使用した酸化ガリウム（Ga₂O₃）パワーデバイスを開発している。2023年3月には、p型半導体である酸化イリジウムガリウムの実用化に向け、JSRと共同で新たなイリジウム系成膜材料を共同開発したと発表した。

　同社 営業部 エバンジェリストの井川拓人氏は、「FLOSFIAは、MOSFETや、JBS（ジャンクションバリアショットキー）構造を用いたSBD（以下、SBD）の開発に必要なp型半導体『酸化イリジウムガリウム（α-（IrGa）₂O₃）』の開発を進めてきた。今回、材料分野に強みを持つJSRと共同開発したミスト原料（イリジウム系成膜材料）を使い、FLOSFIAのミストドライ法で成膜したところ、酸化イリジウムガリウムの開発に成功した。その後、安定生産の見通しも立ってきているため、酸化イリジウムガリウムを用いたSBDの2023年内のサンプル出荷を目指して準備を進めている」と語った。

「GaO SBD」は、2023年内に量産開始予定

　FLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2022」（2022年7月20〜22日／東京ビッグサイト）にも出展し、Ga₂O₃を使用したSBDを搭載した評価ボードを展示していた。なおFLOSFIAは、Ga₂O₃を用いたSBDを「GaO^＊） SBD」として製品化している。

＊）「GaO」はFLOSFIAの商標登録である。

　GaO SBDの進捗について同氏は、「n型半導体を使用したGaO SBDの量産開始時期は、当初予定していた 2022年内より少々後ろ倒しになっているものの、2023年内には量産を開始できる体制が既に整っている」と述べた。会場では、GaO SBDのサンプルが展示された。

【訂正：2023年8月8日20時45分　「GaO」はFLOSFIAの商標登録なので、それが分かるように書き換えています】

FLOSFIAのGa₂O₃ SBDである「GaO SBD」のサンプル［クリックで拡大］