経産省、Micron広島工場に最大1920億円を助成 : EUV露光を用い1γDRAMを生産
Micron Technologyの広島工場(広島県東広島市)は、経済産業省より最大1920億円の助成金を受け取ることに決まったと発表した。EUV(極端紫外線)露光を用いた1γ(ガンマ)DRAMの生産や、次世代広帯域メモリ(HBM4)の研究開発などに充てる。
Micron Technology(以下、Micron)は2023年10月3日、広島工場(広島県東広島市)が、経済産業省より最大1920億円の助成金を受け取ることに決まったと発表した。EUV(極端紫外線)露光を用いた1γ(ガンマ)世代DRAMの生産や、次世代広帯域メモリ(HBM4)の研究開発などに充てる。
Micron Technologyの広島工場[クリックで拡大] 出所:Micron Technology
Micronは広島工場の設備増強に向け、2022年9月末には日本政府より最大465億円の助成金交付を受けると発表した。こうした支援もあり同工場では、2022年11月から1β(ベータ)DRAMの量産を始めた。2023年7月には、業界最速で最大容量の「HBM3E」についてもサンプル出荷を始めている。
今回支援を受ける助成金は、1γDRAMを生産するための設備投資や、1γノードを採用したHBM4および、生成系AI(人工知能)向けデバイスの研究開発などに充てる。
Micronのグローバルオペレーション担当エグゼクティブバイスプレジデントを務めるマニッシュ・バーティア氏は今回の支援決定について、「日本政府とのパートナーシップの継続を光栄に思う。(今後は)EUVを用いた1γ DRAMによる生産の取り組みと、AIアプリケーションに向けた次世代広帯域メモリの研究開発を加速させていく」とコメントした。
Micronは、あらゆるレベルの大学や学術機関との連携も積極で、研究資金を提供するなどSTEM(科学、技術、工学、数学)教育を推進している。2023年5月には、半導体人材の育成を目的とした共同教育イニシアチブ「UPWARDS for the FUTURE(半導体の未来に向けた人材育成と研究開発のための日米大学パートナーシップ)」を、日米の11大学とのパートナーシップにより創設した。
Micron、メモリ拡張モジュールをサンプル出荷
Micron Technologyは、CXL 2.0 Type 3をサポートしたメモリ拡張モジュール「CZ120」のサンプル出荷を始めた。メモリ容量は128Gバイト品と256Gバイト品を用意している。
1.2TB/s、24GBのHBM3 Gen2 LLMの学習を高速化
Micron Technologyは2023年7月、生成AI(人工知能)などの用途に向けて、1.2Tバイト/秒のメモリ帯域幅と、24Gバイトの容量を実現したHBM3 DRAM「HBM3 Gen2」のサンプリング出荷を開始したと発表した。
Micron、27億5000万ドルでインドに後工程新工場
Micron Technologyは2023年6月22日、最大27億5000万米ドルで、インド・グジャラート州にDRAMおよびNAND型フラッシュメモリの組み立て/テスト工場を新設すると発表した。インド中央政府と州政府から総事業費の70%の財政支援を受けるという。
EUV適用1γ DRAM、広島工場では2026年に生産開始
Micron Technologyは2023年5月22日、EUV(極端紫外線)リソグラフィ適用の1γノードDRAMの生産発表に併せて広島工場で記者会見を実施した。
価格低迷の中、1β DRAMの拡充進めるMicron
Micron Technologyは、近年、最先端DRAM技術の発展をリードしてきたメーカーの1社だ。同社の1β(ベータ)ノードのDRAM技術もその流れを維持するものだが、2023年にはDRAM価格の下落が予測される中、他の大手メーカーも、追い上げてきている。
Micron広島工場は「日米連携強化の象徴」
Micron Technology(以下、Micron)は2022年11月16日、同社の広島工場(広島県東広島市)で、1βnm世代のDRAMの量産開始を記念した式典を開催した。式典には、Micronの社長兼CEOであるSanjay Mehrotra氏、グローバルオペレーションズ エグゼクティブバイスプレジデントのManish Bhatia氏の他、経済産業省 商務情報政策局長の野原諭氏、広島県知事の湯崎英彦氏、駐日米国大使のラーム・エマニュエル氏らも出席した。
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