ルネサスもTransphorm買収で本格参戦へ、再編が進むGaNパワー半導体業界：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

[永山準，EE Times Japan]

ルネサスもTransphorm買収で本格参戦へ、再編が進むGaNパワー半導体業界

　新年早々、パワー半導体市場で注目のニュースが飛び込んできました。2024年1月11日、ルネサス エレクトロニクスがGaN（窒化ガリウム）パワー半導体を手掛ける米国Transphormの買収を発表。これによって、同社はGaNパワー半導体市場に本格参入することになります。2023年にはInfineon TechnologiesによるGaN Systems買収も大きな話題となりましたが、市場形成が本格化してきたGaNパワー半導体業界の再編は、近い将来さらに加速していくことが予想されます。

　今回、ルネサスが買収を発表した米国カリフォルニア州ゴレタのTransphormは、2007年、米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校のUmesh Mishra教授とPrimit Parikh氏によって共同設立されたGaNパワーデバイスメーカーで、GaNパワーデバイス市場では6位に位置する主要企業の1社です。2013年には富士通のGaNパワーデバイス事業を統合したことも話題となりました。同社は、GaN関連で1000件以上の特許（ライセンス特許を含む）を保有。多くの競合がEモード（エンハンスメントモード）のデバイスを開発する中、カスコード構成のDモードGaNデバイスに注力している点も特長です。