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» 2024年01月11日 16時05分 公開

ルネサス、GaN半導体メーカー・Transphormを買収買収総額は約492億円

ルネサス エレクトロニクスは2024年1月11日、Transphorm(トランスフォーム)を買収すると発表した。買収額は、約3億3900万米ドル(約492億円)。2024年下半期の買収完了を予定する。

[竹本達哉EE Times Japan]

売上高1651万ドルで営業損失2877万ドル

 ルネサス エレクトロニクスは2024年1月11日、Transphorm(トランスフォーム)を買収すると発表した。買収額は、約3億3900万米ドル(約492億円)。2024年下半期の買収完了を予定する。

ルネサスエレクトロニクス CEOの柴田英利氏(右)とTransphorm CEOのPrimit Parikh氏 提供:ルネサス エレクトロニクス

 Transphormは、米カリフォルニア州ゴレタに本社を置く2007年に創業したGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体メーカー。2014年に富士通セミコンダクター(当時)のGaNパワーデバイス事業を統合。ゴレタと福島県会津若松市に製造拠点を持つ。2023年3月期の売上高は1651万米ドルで、営業損益は2877万米ドルの赤字だった。

SiCとGaNの両方を展開へ

TransphormのGaNパワーデバイス製品 出所:Transphorm

 ルネサスはTransphormの買収に関して、「GaN技術を獲得し、ワイドバンドギャップのポートフォリオを拡充する。GaNは、より高いスイッチング周波数、より低い電力損失、そしてより小さい形状を実現し、顧客のシステムコストを低減しながら、高効率化、小型化、軽量化できる。そのため、GaNの市場が年率50%以上成長するとの市場予測もある。ルネサスは、車載用規格に対応したTransphormのGaN技術を生かし、急速に拡大する市場機会に対して、EV向けX-in-1パワートレイン用途やコンピューティング、エネルギー、産業、民生向けのパワーソリューションの提供力を強化する」としている。

 ルネサスは、GaNと並ぶワイドバンドギャップ素材であるSiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体についても、SiCウエハーメーカーのWolfspeedと10年間のSiCウエハー供給契約を締結し、自社工場での生産ライン新設して2025年からの量産を予定している。Transphormの買収により、GaNパワーデバイス、SiCパワーデバイスの双方を手掛けることになる。

 買収は、ルネサスが子会社を通じ現金によってTransphormの全株式を取得。取得額は、2024年1月10日終値に約35%、直近6カ月平均株価に対し約78%のプレミアムを上乗せした1株5.10米ドルで、買収総額は約3億3900万米ドルになる。ルネサスとTransphormの両社は2024年1月11日に合併契約を締結している。

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