最小3μmの微小ビアを形成可能なエキシマレーザー加工装置、オーク製作所：ネプコンジャパン2024

オーク製作所は、「第38回ネプコンジャパン」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）の構成展である「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」に出展し、φ10μm以下のビア形成が可能なエキシマレーザー加工装置や、開発中の解像性2μm以下のダイレクト露光装置などを紹介した。

[半田翔希，EE Times Japan]

　オーク製作所は2024年1月24〜26日、「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、φ10μm以下のビアを形成可能なエキシマレーザー加工装置「Exa-Ms5」などを紹介した。

　Exa-Ms5は、「既存の加工装置では困難なφ10μm以下の小型ビアを、既存装置の倍の精度で形成できる」（担当者）という。最小φ3μmのビアまで形成可能で、総合重ね合わせ精度は、φ3μm形成時に＋4σ（平均）だ。その他、トレンチ／キャビティ加工にも対応する。

　同社 執行役員 営業本部 副本部長 兼 海外装置営業部部長の高津嘉郎氏は「既に提供を開始しているが、現段階では、加工精度が要求を大きく上回っているため、量産ラインへの導入はもう少し後になるのではないか。今後、（高性能な）FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）基板のニーズが高まれば、量産ラインへの導入が進むだろう」と語った。

エキシマレーザー加工装置「Exa-Ms5」の概要［クリックで拡大］

解像性2μm以下のダイレクト露光装置

　オーク製作所は、現在開発中の解像性2μm以下のダイレクト露光（DI）装置も紹介した。新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）に採択された「三次元積層関連の革新的な後工程用露光装置の研究開発」プロジェクトとして、2024年3月までに解像性2.0μmのDIの実験機、2025年9月までに解像性1.2μmの量産試作機の開発を目指している。

解像性2μm以下のダイレクト露光装置の概要［クリックで拡大］

　同社は2023年6月、次世代半導体パッケージ実装技術の開発を目指すコンソーシアム「JOINT2」（ジョイントツー／Jisso Open Innovation Network of Tops）への参画を発表した。DI装置は、JOINT2での活用も想定している。

　高津氏は、JOINT2参画後の反響について「JOINT2参画をきっかけに半導体業界での知名度が向上した。開発中の露光装置への期待の声も多く、ブース来訪者も例年より多い印象だ」と説明した。また、半導体業界の重要性について「非常に重要な分野だと認識している。オーク製作所にとって、半導体業界への参入は挑戦的な取り組みだ。DI装置を中心に、これからも半導体業界に貢献していきたい」と語った。