SK hynixが12層HBM3E製品を「業界初」の量産開始：8層品と同じ厚さで容量50％増

SK hynixが、「業界で初めて」（同社）12層のHBM3E製品の量産を開始した。DRAMチップを40％薄くしたことで、従来の8層製品と同じ厚さで容量は36Gバイトを実現している。2024年末までに顧客に供給予定だという。

[永山準，EE Times Japan]

　SK hynix（以下、SK）は2024年9月26日（韓国時間）、「業界で初めて」（同社）12層のHBM3E^※製品の量産を開始したと発表した。DRAMチップを40％薄くしたことで、従来の8層製品と同じ厚さで容量は36Gバイト（GB）を実現している。2024年末までに顧客に供給予定だという。

※：広帯域幅メモリ（High Bandwidth Memory：HBM）の最新バージョン

SK hynixが開発した12層のHBM3E製品［クリックで拡大］ 出所：SK hynix

　動作速度は9.6Gbps（ギガビット/秒）で、SKは、「現在利用可能な最高のメモリ速度」と説明。同製品を搭載した1つのGPU1基で大規模言語モデル（LLM）「Llama 3 70B」を駆動した場合、700億のパラメーターを1秒間に35回読み出し可能だという。同社は、「12層HBM3E製品は、速度、容量、安定性などAI（人工知能）メモリに不可欠な全ての要素で世界最高水準を満たしている」と述べている。

　同社は2024年3月に、8層のHBM3E製品を顧客に供給開始したことを発表していた。今回、3GBのDRAMチップを従来の8層品と同じ厚さで12層積層し、容量を50％増加した。この実現のために、DRAMチップを従来よりも40％薄くし、TSV（シリコン貫通電極）技術を用い垂直に積層している。また、同社のコア技術である「advanced MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）」プロセスの適用によって、より薄いチップを高く積層することで発生する構造上の問題を解決。従来比で放熱性能を10％向上するとともに、反り制御を強化し、製品の安定性と信頼性を確保したとしている。