ローエンド型破壊イノベーションを起こしたDeepSeek 〜ウエハー需要への影響は：湯之上隆のナノフォーカス（79）（4/6 ページ）

[湯之上隆（微細加工研究所），EE Times Japan]

各種半導体のウエハー需要

　図7は、2025年から2030年にかけて、ロジック（成熟ノードと先端ノード）、DRAM、NANDに使用されるウエハー需要がどの程度増加するかを示したものである。ここでは、3種類のケースに分けて予測が行われている。

図7　各種半導体のウエハー需要［クリックで拡大］ 出所：2024年11月14日 “ASML Investor Day” “End markets, wafer demand and lithography spending”／Amit Harchandani氏

ケース1）：2022年を基準とし、ロジックに関して28nmより前（つまり32nm以前）を成熟ノード、28nm以降を先端ノードとした場合の予測

ケース2）：2024年を基準とし、ロジックの分類はケース1と同様に、28nmより前（つまり32nm以前）を成熟ノード、28nm以降を先端ノードとした場合の予測

ケース3）：2024年を基準とし、ロジックの分類を変更し、7nmより前（つまり10nm以前）を成熟ノード、7nm以降を先端ノードとした場合の予測

　言うまでもなく、ケース1では生成AIの影響および2023〜2024年の半導体不況の影響は考慮されていない。一方、ケース2とケース3では、これらの影響が反映されている。そしてケース2とケース3の違いは、先端ノードと成熟ノードの境界をどこに設定するかという点にある。

　では、以下で、それぞれの詳細を見ていこう。

ケース1）

　図7の1）の上図に着目しよう。2025年時点でのウエハー需要は、月産で、28nmより前の成熟ノードのロジックが670万枚、28nm以降の先端ノードのロジックが210万枚、DRAMが190万枚、NANDが210万枚、合計で1280万枚となっている。

　その5年後の2030年におけるウエハー需要は、月産で、28nmより前の成熟ノードのロジックが860万枚、28nm以降の先端ノードのロジックが320万枚、DRAMが220万枚、NANDが260万枚、合計で1660万枚になると予測されている。

　これにより、2025年から2030年の5年間で、合計のウエハー需要は、図7の1）の下図に示されているように、1660万枚−1280万枚＝380万枚増加することになる。これを1年当たりに換算すると、380万枚÷ 5年 = 76万枚（760千枚）の需要増加となる。

　さらに、各種半導体のウエハー需要増加は、月産で、28nmより前の成熟ノードのロジックが380千枚、28nm以降の先端ノードのロジックが220千枚、DRAMが60千枚、NANDが100千枚となる。

ケース2）

　今度は、生成AIの影響が反映された場合のウエハー需要を見てみよう。図7の2）の上図に着目する。2025年時点で、ウエハー需要は月産で、28nmより前の成熟ノードのロジックが580万枚、28nm以降の先端ノードのロジックが200万枚、DRAMが170万枚、NANDが170万枚、合計1120万枚となっている。

　その5年後の2030年のウエハー需要は、月産で、28nmより前の成熟ノードのロジックが750万枚、28nm以降の先端ノードのロジックが320万枚、DRAMが250万枚、NANDが190万枚、合計1510万枚になると予測された。

　ケース1）との違いは、月産で、DRAMが220万枚から250万枚に増える一方で、成熟ノードのロジックが860万枚から750万枚に、NANDが260万枚から190万枚に減少することである。

　2025年から2030年の5年間で、合計のウエハー需要は、図7の2）の下図に示されているように、月産で1510万枚−1120万枚＝390万枚、増大したことになる。その結果、1年当たりに換算すると、390万枚÷5年＝78万枚（780千枚）の需要増大となる。

　そして、各種半導体のウエハー需要増大は、月産で、28nmより前の成熟ノードのロジックが340千枚、28nm以降の先端ノードのロジックが240千枚、DRAMが160千枚、NANDが40千枚ということになる。

　注目すべき点は、生成AIの影響を考慮したケース2）では、ケース1に比べてウエハー需要（月産）が、先端ノードのロジックが220千枚から240千枚に増え、DRAMが60千枚から160千枚に急増する一方で、成熟ノードのロジックが380千枚から340千枚に減り、NANDが100千枚から40千枚に激減することである。

　生成AIの効果によって、NVIDIAのGPUなどのAI半導体の需要が高まることにより、先端ノードのロジックとHBMなどのDRAMのウエハー需要が増大することが予測されていると言える（DRAMのウエハー需要増大については後述する）。

ケース3）

　ケース3）は、ロジックについて、成熟ノード（7nmより前）と先端ノード（7nm以降）の線引きを変更しただけであるため、2025年から2030年の5年間で、1年当たりの平均の半導体全体のウエハー需要増大は月産78万枚（780千枚）で、ケース2）と変わらない。

　そして、図7の3）の下図に示されている通り、7nmより前の成熟ノードのロジック（メインストリームと書かれている）が、月産で380千枚、7nm以降の先端ノードのロジックが200千枚、DRAMが160千枚、NANDが40千枚となっている。

　ここまでウエハー需要とその増大の予測を見てきたが、生成AIの影響が大きく反映され、ウエハー需要が大きく増える半導体はDRAMであることが分かった（逆にNANDのウエハー需要は激減する）。それでは、どのようなDRAM用ウエハー需要が増大するのだろうか。