原子層レベルで超精密に加工、サムコの原子層エッチング装置：GaN系デバイスへのダメージ低減

サムコは、原子層レベルのエッチング制御を可能にした原子層エッチング（ALE）装置を開発し、販売を始めた。窒化ガリウム（GaN）系デバイスなどにおいて、加工時のダメージを低減できる。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

直径4インチ対応の研究開発用と、8インチ対応の生産用の2製品

　サムコは2025年12月、原子層レベルのエッチング制御を可能にした原子層エッチング（ALE）装置を開発し、販売を始めた。窒化ガリウム（GaN）系デバイスなどにおいて、加工時のダメージを低減できる。

　開発したALE装置は、研究開発用の「RIE-400iP-ALE」（最大径4インチ対応）と、生産用の「RIE-800iPC-ALE」（最大径8インチ対応）の2製品。ALEはプロセスを「表面改質」と「除去」の2ステップに分離し、低速かつ自己律速的に原子層を1層ずつ除去する。こうした手法により、プラズマダメージを最小限に抑え、ゲートリセス加工などにおいて、理想的な界面形成が可能となった。

　具体的には、反応性ガスの「吸着工程」とイオン照射による「除去工程」を繰り返し行う。これにより、原子層レベルでの深さ制御を実現し、平たん性と均一性を確保した。また、イオンエネルギーを精密に制御することで、結晶構造へのダメージを抑えることができる。自己律速により特定の材料のみを選択的にエッチングすることも可能だ。

左がRIE-400iP-ALE、右がRIE-800iPC-ALEの外観［クリックで拡大］ 出所：サムコ