300mmファブ装置の投資額、2年連続で2桁成長へ：「前例のない規模の投資」とSEMI

SEMIによると、世界の300mmファブ装置への投資額は、2026から2年連続で2桁成長を達成する見込みだ。2026年は前年比18％増の1330億米ドル、2027年は同14％増の1510億米ドルと予測されている。

[浅井涼，EE Times Japan]

　SEMIは2026年4月1日（米国時間）、世界の300mmファブ装置への投資額が、2026年から2年連続で2桁成長するとの予測を示した。2026年は前年比18％増の1330億米ドル、2027年は同14％増の1510億米ドルとなる見込みだ。なお、2028年は同3％増の1550億米ドル、2029年は同11％増の1720億米ドルと予測する。

300mmファブ装置への投資額の推移［クリックで拡大］ 出所：SEMI

　SEMIの社長兼CEOであるAjit Manocha氏は「AI需要によって半導体製造投資の規模はリセットされつつある。業界はAI時代を支えるために不可欠な先進的生産能力と強靭なサプライチェーンに向けて、前例のない規模の投資を進めている」と指摘している。

エッジAIで先端プロセス以外も需要増

　セグメントごとに見ると、ロジック＆マイクロセグメントでは2027年から2029年にかけて累計2280億米ドルが投じられ、投資拡大をリードすると予想される。最先端プロセスに向けてファウンドリー需要が拡大することが主な理由だ。2nm以下の最先端プロセスは2027年から2029年にかけて量産に入る見込みだ。加えて、エッジAIデバイスの大幅な普及拡大によって、成熟プロセスのデバイス需要も高まり、最先端プロセスへの投資を支えることになりそうだ。

　メモリセグメントへの投資額は、2027年から2029年で1750億米ドルと、ロジック＆マイクロセグメントに次いで大きくなる見込みだ。SEMIは「この期間はメモリセグメントにおける新たな成長サイクルの始まりとなる」「AI用途での旺盛な需要によって、メモリサプライチェーンへの高水準の投資が短期および中長期にわたり継続すると見られ、従来のメモリ市況サイクルに伴う下振れリスクを緩和する効果が期待されている」と分析している。内訳はDRAM装置が1110億米ドル、3D NAND装置が620億米ドルと予測される。

日本でも政府支援で投資拡大

　地域ごとに見ると、2027年から2029年の300mmファブ装置投資は、主要な半導体製造地域全体に分散するとみられる。中国、台湾、韓国、米州では高水準の投資が見込まれていて、日本、欧州／中東、東南アジアでは規模は小さいものの投資拡大が見込まれる。

　中国では、国家主導での半導体製造基盤の強化施策によって、装置への投資が継続する見通しだ。台湾では2nm以下のプロセスを含む最先端ファウンドリーの生産能力拡張が投資をけん引する。韓国の投資動向はメモリ分野と密接に連動していて、AI関連需要が投資を支えるとみられる。米州では先端プロセスへの投資と国内製造エコシステムの強化に向けた取り組みが投資を下支えする見込みだ。日本、欧州／中東、東南アジアでも、政府の取り組みが投資を喚起するとみられる。