AI時代のメモリ／ストレージ覇権：次世代競争が本格化（3/3 ページ）

» 2026年06月30日 12時30分公開

今や半導体市場の成長をけん引、HBM

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新型磁気メモリ開発に向けた基盤技術を確立、東北大ら
東北大学や総合科学研究機構、京都大学、慶應義塾大学の研究グループは、らせん磁性体を用いた新型磁気メモリ開発に需要となる基盤技術を確立した。今回の研究では、らせん磁性の巻き方を直接観測し、試料体積の90％以上という精度で巻き方を制御できることが分かった。
AIが食い尽くすメモリ供給　企業ITを揺らす価格高騰
AIインフラの急速な構築により、高性能メモリの供給が逼迫（ひっぱく）する事態が続いている。特にメモリ調達担当者は、調達戦略を全面的に見直す必要があるだろう。
LPDDR6、データセンターにも活路
データセンター顧客が、次世代の低消費電力メモリ「LPDDR6」への関心を強めているという。長らくモバイル向けが主流であったLPDDRだが、LPDDR6には、データセンターのニーズに応えるための機能が多く追加される予定だ。
「スーパーサイクルに入る」とキオクシア、変動の谷も小さく
キオクシアホールディングスは2026～2028年度の3年間で年平均約4700億円の設備投資を実施する方針を示した。また同社副社長執行役員財務統括責任者（CFO）の河村芳彦氏は今後の成長について「スーパーサイクルに入っていくと考えられる」と述べ、同社の事業構造が、安定的で高収益な成長を実現できる形へと大きく変化しているとの認識を示した。
HBM内に冷却素子　「最も熱い箇所」直接冷やす新技術
SK hynixは2026年5月、広帯域メモリ（HBM）のパッケージ内に冷却素子を搭載する「iHBM」技術を発表した。熱抵抗を30％低減し、高温／高圧の環境下でもチップを安定して動作させられるという。同社は、iHBMを「HBM5」を含む次世代HBM製品へ導入する予定だ。