「相変化メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

CEATEC 2024：
エッジでAIモデルのリアルタイム学習が可能に、TDKのスピンメモリスタ
TDKは、「CEATEC 2024」において、人の脳を模倣したニューロモルフィックデバイスを構成するメモリスタを独自のスピントロニクス技術で実現した「スピンメモリスタ」を披露した。（2024/10/21）

消費電力はGPU比で100分の1：
「電流を流すだけで積和演算」 TDKの超省電力AI用デバイス
TDKは、スピントロニクス技術を活用するニューロモーフィック素子として「スピンメモリスタ」を開発した。AIで多用される積和演算を、GPUに比べて100分の1の消費電力で実行できるという。フランスCEAと東北大学との協業により、2030年の量産技術の確立を目指す。TDKは、スピンメモリスタのデモを「CEATEC 2024」で公開する予定だ。（2024/10/3）

IBMや新興企業も開発に取り組む：
「省エネなAI」に効く？ アナログチップの可能性
AIの普及によりデータセンターの消費電力の増大が課題になっている。“省エネのAI”を実現する上で鍵になりそうなのがアナログチップの活用だ。（2024/9/18）

研究開発の最前線：
クロム窒化物が相変化により大きな電気抵抗変化を示すことを発見
東北大学と慶應義塾大学は、クロム窒化物がアモルファス相を介さない相変化により、大きな電気抵抗変化を示すことを発見した。高速ジュール加熱を施し、透過電子顕微鏡により相変化メカニズムの解明を試みた。（2024/8/26）

相変化メモリの新材料として期待：
東北大ら、クロム窒化物で高速な相変化機能を発見
東北大学と慶應義塾大学、漢陽大学校（韓国）、産業技術総合研究所（産総研）らの研究グループは、クロム窒化物（CrN）が高速な相変化によって電気抵抗が大きく変化することを発見した。CrNは環境に優しく動作電力を低減できることから、相変化メモリ（PCRAM）の情報記録材料として期待されている。（2024/8/9）

ターゲットは産業機器：
「STM32」でエッジAIを加速　STの日本市場戦略
STマイクロエレクトロニクスは2024年4月、32ビットマイコンを中心とした同社の製品群「STM32」の戦略や各製品の特徴についての説明会を開催した。（2024/5/9）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
FD-SOIがついに大規模量産で日の目を見るのか？　STの戦略を読み解く
STMicroelectronicsが、次世代「STM32」MCUを、18nmのFD-SOIプロセスで製造すると発表した。この発表、実はかなり興味深い。それはなぜなのか、FD-SOIのこれまでの経緯をたどりながら解説したい。（2024/4/12）

組み込み開発ニュース：
次世代組み込みプロセッサ向け18nmプロセス技術、FD-SOIと相変化メモリがベース
STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。（2024/4/11）

DRAMとの“距離”はまだ遠く：
「3D NANDの進化」に必要な要素とは
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。（2024/4/1）

ベースは18nm FD-SOI＋ePCM技術：
ST、次世代「STM32」マイコンに向けたプロセス技術を発表
STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。（2024/3/29）

インフィニオンがLPDDR4対応NORを間もなく量産へ：
PR：従来比20倍のランダム読み出し速度を実現！　高速I/F品の登場で車とともに飛躍が期待されるNORフラッシュ
ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。（2024/3/27）

STマイクロエレクトロニクス 日本担当 カントリーマネージャー 高桑浩一郎氏：
PR：SiCパワーデバイスやエッジAIをけん引するST　サステナビリティー経営も追求
2023年、自動車と産業機器で堅調に業績を伸ばしたSTマイクロエレクトロニクス。近年はワイドバンドギャップ半導体やエッジAI（人工知能）関連の製品群の拡張と、積極的な工場投資を進めている。2024年は初頭からグローバルでの組織変更を発表し、開発効率の向上やソリューション提案の強化を強調した。同社の日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、2024年の市況や戦略を聞いた。（2024/3/26）

組み込み型相変化メモリ搭載：
STがマイコンに18nm FD-SOIプロセス採用へ、25年後半に量産へ
STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。（2024/3/21）

相変化メモリの高度化に対応：
筑波大ら、圧力下でのガラス相転移機構を解明
筑波大学やオーフス大学、愛媛大学、島根大学、理化学研究所らの研究グループは、相変化材料（ガラス）に圧力が加わると、規則的な原子配列は抑制され、それに伴い体積弾性率が上昇することを明らかにした。このメカニズムは過冷却液体の相転移機構と同じであることも判明した。（2023/12/14）

多値記憶の相変化メモリに応用も：
酸化物で初、熱的相変化で電気抵抗スイッチング
東北大学は筑波大学と共同で、酸化物では初めて熱的相変化を活用した電気抵抗スイッチングに成功した。多値記憶が可能な相変化メモリへの応用が期待される。（2023/9/11）

コンピュートインメモリも活用：
IBMがPCMを用いた推論チップ「Hermes」の性能を公開
IBMの研究グループは、Nature Electronicsの最新号で、2022年に初めて作られた、重み400万、64コアの推論チップ「Hermes」の設計と動作を公開した。（2023/8/24）

低融点と高結晶化温度を両立：
相変化メモリ向け新材料「テルル化ニオブ」を発見
東北大学の研究グループは、産業技術総合研究所や慶應義塾大学とともに、相変化メモリ（PCRAM）の電力消費を大幅に抑え、高速動作や高温環境での使用を可能にする相変化材料として、二次元層状物質の「テルル化ニオブ（NbTe4）」を発見した。（2023/7/10）

STマイクロエレクトロニクス 日本担当 カントリーマネージャー 高桑浩一郎氏：
PR：サステナブルな成長に向けてソリューション提案強化で市場攻略
マイコンからアナログIC、センサー、メモリまで幅広い製品ポートフォリオを持つSTマイクロエレクトロニクス。広範な製品群をベースに、ソリューションの提案に力を入れている。半導体に対する旺盛な需要が長期的に見込まれる中、同社はどのような戦略を取るのか。STマイクロエレクトロニクス 日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に聞いた。（2023/3/9）

STが「Stellar」でデモ：
PCM搭載の車載マイコン、OTAのソフト更新が高速に
STマイクロエレクトロニクスは「第15回 オートモーティブワールド」で、相変化メモリ（PCM）を内蔵した車載用32ビットマイコン「Stellar」のデモを展示した。（2023/2/6）

FRAMとReRAMに高い注目度：
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】（2022/12/27）

次世代メモリの筆頭が消える【第5回】
IntelのOptane撤退が残した「次世代メモリの“うれしい遺産”」とは
不揮発性メモリであるOptaneが打ち出した発想から、さまざまな動きが起こった。Intelが事業の撤退を明かし、関心は次の時代へと移行する。（2022/11/21）

次世代メモリの筆頭が消える【第3回】
SSDユーザーに「Optane」が好かれなかった“なるほどの理由”
SSDとメモリのそれぞれの分野において、IntelにはOptaneで成し遂げたい変革があった。ただし幾つかのハードルが、Optaneの普及を阻んだ。（2022/11/7）

次世代メモリの筆頭が消える【第2回】
Intelは「Optane」で“SSDの衝撃”の再来を狙っていた？
Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。（2022/10/31）

STマイクロ Stellar P6シリーズ：
eモビリティ向け車載用マイクロコントローラー
STマイクロエレクトロニクスは、車載用マイクロコントローラー「Stellar P6」シリーズを発表した。新しい車載通信規格「CAN-XL」を採用し、2024年モデルの自動車向け認定取得に対応した。（2022/9/20）

eドライブトレインなどに対応：
「CAN-XL」搭載の車載用マイコン、STが発表
STマイクロエレクトロニクスは、次世代のeドライブトレインなどに対応する車載用マイコン「Stellar P6シリーズ」を発表した。新しい車載通信プロトコル「CAN-XL」を搭載し、2024年モデルの自動車向け認定を取得しているという。（2022/9/9）

1βでは広島が大きな役割を果たす：
3D DRAMからCXLメモリまで、Micronの見解を聞く
2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。（2022/9/7）

PCMの未来は：
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す？
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。（2022/8/30）

福田昭のストレージ通信（217） フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表（1）：
強誘電体メモリとEPROM、相変化メモリの始まり（1950年代／1960年代）
フラッシュメモリに関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット」で、フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表が公開される。この歴史年表が、とても参考になるので、今回からその概略をシリーズで紹介していく。（2022/7/5）

EE Exclusive：
AI技術が切り開く「インメモリコンピューティング」の可能性
人工知能（AI）とインメモリコンピューティングへの関心が著しく高まる中、ReRAM（抵抗変化型メモリ）は人間の脳を模倣する能力を解き放つ鍵になり得る。とはいえ、まだ課題は残っている。（2022/6/1）

スタンフォード大学が発表：
PCMの課題解決、フレキシブル基板が鍵になる可能性
超格子材料とフレキシブル基板を組み合わせれば、相変化メモリPCM（Phase Change Memory）の主要な欠点の1つを解決できる可能性がある。（2021/10/21）

「Deep Edge AI」が加速、ST：
エッジAI発展に重要な「インメモリコンピューティング」
欧州最大級の半導体国際学会「ESSCIRC-ESSDERC 2021」（2021年9月、オンライン開催）で、STMicroelectronics（以下、ST）のデジタル＆スマート・パワー技術およびデジタル前工程製造を担当エグゼクティブバイスプレジデント、Joël Hartmann氏が講演。エッジAI（人工知能）の展望を語る中で、「インメモリコンピューティングへの移行」の重要性を訴えた。（2021/9/30）

NORやSRAMを置き換える存在に：
次世代メモリ市場、2031年までに440億米ドル規模へ
米国の半導体市場調査会社であるObjective AnalysisとCoughlin Associatesは、共同執筆した年次レポートの中で「次世代メモリが、さらなる急成長を遂げようとしている」という見解を示した。次世代メモリ市場は2031年までに、440億米ドル規模に達する見込みだという。（2021/9/13）

組み込み開発ニュース：
ドメインおよびゾーンコントローラー向け32ビット車載用マイコンを発表
STマイクロエレクトロニクスは、32ビット車載用マイコン「Stellar SR6」ファミリーを発表した。ドライブトレインやADASなど、ISO 26262 ASIL-Dに準拠する車載用システムの開発を支援する。（2021/7/5）

STマイクロ Stellar SR6：
ドメインコントローラーなど向けの車載マイコン
STマイクロエレクトロニクスは、車載用マイクロコントローラー「Stellar SR6」の提供を開始した。車両内の配線を簡素化するドメインコントローラー、ゾーンコントローラーとしての用途を想定している。（2021/7/2）

VLSIシンポジウム2021：
「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文
2021年6月13〜19日に開催されるLSI関連の国際学会「VLSIシンポジウム2021」。「VLSI Circuitsシンポジウム」の注目論文を紹介する。これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介したものとなっている。（2021/6/8）

VLSIシンポジウム2021：
「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。（2021/6/7）

福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）：
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
今回は、MRAMおよびSTTT-MRAMの開発ベンチャーであるAvalanche Technologyの製品事例を紹介する。（2021/4/23）

福田昭のストレージ通信（193） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（20）：
次世代半導体メモリの開発ロードマップ
今回から、「次世代メモリ（Emerging Memory）」の講演部分を紹介する。（2021/4/20）

「3D XPoint」を巡るIntelとMicronの争い【前編】
「Intelじゃない3D XPoint」がメモリ市場を席巻か？　「Optane」に挑むMicron
「3D XPoint」をIntelと共同開発したMicron Technologyが、その製品化を活発化させ始めた。この動きは、Intel「Optane」が先行する新興メモリ市場に変化をもたらすのか。（2021/2/3）

福田昭のデバイス通信（297） Intelが語るオンチップの多層配線技術（18）：
将来の先端半導体を担うモノリシックな3次元集積化技術
本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ（1枚のシリコンダイ）にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。（2021/1/19）

アプリが激変
知らないと損する「Optane DC Persistent Memory」の動作モード
Optane DC Persistent MemoryはSSDではない。単なるメモリでもない。使い方次第でアプリやシステムのパフォーマンスを劇的に向上させることができる。ただし2つの動作モードを理解する必要がある。（2021/1/15）

STマイクロ Stellar：
確定性の高い次世代車載アーキテクチャ向けMCU
STマイクロエレクトロニクスはボッシュと共同で、次世代の車載アーキテクチャに向けたMCU「Stellar」を開発した。複数のアプリケーションや仮想ECUが共存可能で、自動車の安全性と利便性の向上に貢献する。（2020/11/10）

「ストレージクラスメモリ」の可能性と市場動向【後編】
次世代メモリ「SCM」に挑むMicron、キオクシア、Samsung　Optaneを追うのは？
主要メモリベンダー各社が「ストレージクラスメモリ」（SCM）の開発を進めており、ストレージアレイやサーバへの採用も進む。市場はどう動くのか。（2020/7/23）

オートモーティブワールド2020：
28nm FD-SOI車載マイコンやSiCパワーデバイスを公開
STMicroelectronics（以下、ST）は2020年1月15日から東京ビッグサイトで開催されている展示会「オートモーティブ ワールド」（会期：1月17日まで）で、新しい車載マイコン製品群「Stellarファミリ」やSiC（炭化ケイ素）を用いたパワーデバイス製品などを展示している。（2020/1/16）

コスト競争力をどう実現するのか：
次世代メモリのPCM、「Optane」以外の動向は？
PCM（相変化メモリ）は2019年の初めに、注目すべき3つの新しいメモリ技術の一つとして取り上げられた。その主な理由は、Intelが「3D XPoint」メモリ（PCMであることが明らかになっている）を「Optane」ブランドで本格的に展開し始めたからだろう。では、3D XPoint以外のPCMについてはどうだろうか。（2019/11/20）

EE Exclusive：
拡大基調が見え始めたMRAM、鍵はエコシステムと製造技術
MRAM（磁気抵抗メモリ）の採用が拡大基調に突入しようとしている。ただし、採用がすぐに進むかどうかは、製造技術の進歩と、ディスクリートおよび組み込みMRAMデバイスの技術をサポートするエコシステムの発展の両方にかかっている。（2019/9/30）

アプライド マテリアルズ：
次世代メモリの本格量産を可能にする新PVD装置
アプライド マテリアルズ ジャパンは、東京都内で記者説明会を行い、MRAM（磁気抵抗メモリ）やReRAM（抵抗変化型メモリ）など新型メモリの量産を可能にするPVD（物理蒸着）装置について、その特長などを紹介した。（2019/9/19）

2020年からは好転の見通し：
DRAM価格、2019年に40％下落と予測、Yole
フランスの市場調査会社Yole Développementは6月、最新のメモリ市場に関する予測を発表した。同社は、2018年から続くメモリの供給過剰によって、「DRAMの価格が2019年に40％下落する。2020年までに再び上昇することはないだろう」としている。（2019/7/1）

福田昭のストレージ通信（149） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（10）：
磁気抵抗メモリ（MRAM）の長所と短所
今回から磁気抵抗メモリ（MRAM）について解説する。まずはMRAMの構造と、長所、短所をそれぞれ説明しよう。（2019/6/11）

福田昭のストレージ通信（148） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（9）：
「3D XPointメモリ」開発のオープン・モードとステルス・モード
今回は、「3D XPointメモリ」の研究開発が、オープン・モードで始まり、後半はステルス・モードとなっていたことを説明する。（2019/6/5）