Hynix、26nm製造技術適用のNAND型フラッシュを量産開始：メモリ/ストレージ技術 NAND型フラッシュ・メモリ

[Mark LaPedus，EE Times]

　韓国Hynix Semiconductor社は、同社の300mmウエハー対応工場「M11」において、2Xnm製造技術を適用したNAND型フラッシュメモリ（図1）の量産を開始したと発表した。

　同社は、この製造技術を2010年2月に発表している。この2Xnmのチップは記録容量が64Gビットとなり、既存の32Gビット品と比較して、パッケージごとの記録密度が倍増する。

　アナリストによれば、Hynix社の製品は26nm製造技術を導入したものだという。ライバル企業も、2Xnm品の量産を進めている。韓国のSamsung Electronics社は27nm製造技術を用いたNAND型フラッシュメモリの量産をはじめており、米IM Flash Technologies社は25nm品を出荷している。また、米SanDisk社と東芝は24nm品の開発で協業している。

図1　韓国Hynix Semiconductor社が量産を始めた2Xnm製造技術適用のNAND型フラッシュメモリ
記録密度が既存の製品から倍増し、記録容量は64Gビットとなった。