富士電機がSiC-SBD搭載パワーモジュールを展示、2011年内に量産出荷を開始へ：TECHNO-FRONTIER 2011

SiC-SBDを採用することにより、Siベースのダイオードを用いたパワーモジュールと比べて動作時の損失を低減できる。

[朴尚洙，EE Times Japan]

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　富士電機は、「TECHNO-FRONTIER 2011」（2011年7月20日〜22日、東京ビッグサイト）において、「Si-SiCハイブリッド・パワーモジュール」を展示した（図1）。2011年末までに量産出荷を開始する予定である。

　Si-SiCハイブリッド・パワーモジュールは、トランジスタとしてSi（シリコン）ベースのIGBTを、ダイオードとしてSiC（シリコンカーバイド）ベースのショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を用いたパワーモジュールである。SiC-SBDを採用したことにより、Siベースのダイオードを用いた同社パワーモジュールの現行品と比べて、動作時の損失を低減できることを特徴とする。SiC-SBDは、産業技術総合研究所の試作ラインで製造したものを用いている。

　また、先に述べた現行品と同じパッケージを採用しているので、置き換えを容易に行うことができる。展示した製品の仕様は、耐圧が600Vで、電流容量が100A。富士電機は、「耐圧が1200Vの製品も開発中である」としている。

図1　富士電機の「Si-SiCハイブリッド・パワーモジュール」