43.5%を達成したセルでは、トップ層にInGaP(インジウムガリウムリン)を用いた。ミドル層はGaAs(ガリウムヒ素)、ボトム層はInGaAs(インジウムガリウムヒ素)だ。GaAs(ガリウムヒ素)基板上にトップ層、ミドル層、ボトム層の順に形成し、その後GaAs基板を除去し、Si支持基板上にボトム層を下にして載せ替える逆積み形成法を用いて製造したもの(図4)。
なお、同社は、2009年10月に化合物3接合太陽電池で35.8%(非集光)、2011年11月に36.9%(非集光)を達成していた。35.8%のセルは、InGaP、InGaAs、Ge(ゲルマニウム)という、今回とは異なるセル構造であり、36.9%のセルは今回と同じセル構造を採っていた。集光時の変換効率については、2010年5月に42.1%(レンズを用いて230倍に集光した場合。非集光時は35.8%)という記録を達成していた。
今回の研究成果は、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「革新的太陽光発電技術研究開発」プロジェクトの一環として取り組んだ成果である(図5)。
シャープが開発した太陽電池は4mm角と小型だ。どうやって利用するのだろうか。利用イメージを図6に示した。図右にあるようにセルの上部にフレネルレンズを配置して太陽光を集中させ、このような「箱」を図左のような架台に並べてモジュール化する。
図では地上設置例を示しているが、同社は宇宙用途も狙う。例えば、2005年にはシャープの化合物3接合型太陽電池を搭載したオーロラ観測用の小型科学衛星「れいめい」が打ち上げられている。2009年には同じく温室効果ガス観測衛星の「いぶき」が続いた。
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