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「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IBM研究所が発表したナノワイヤを形成する独自の技術「TASE」を紹介する。果たして、その技術は「ムーアの法則」を継続させる鍵となるのだろうか。

» 2015年06月28日 12時00分公開

[EE Times Japan]

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「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族のハイブリッドナノワイヤ

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IBM研究所が発表した、ナノワイヤを形成する独自の技術「TASE」を紹介する。

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「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ

IBM研究所が、Si（シリコン）とIII-V族化合物半導体を組み合わせたナノワイヤを形成する技術を発表した。独自の「TASE（Template-Assisted Selective Epitaxy）」という技術を使って形成する。TASEで作成したInAs（インジウムヒ素）のナノワイヤは、5400cm²/Vsの電子移動度を達成したという。「ムーアの法則」を継続させる鍵になるかもしれない。

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