IV族レーザーと高密度3D NAND技術：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（2）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

3D NANDフラッシュの密度を2倍〜4倍に高める

　続いてセッション3を概観する。「メモリ技術」をメインテーマとするいくつかのセッションの中で、「相変化メモリとフラッシュ」をサブテーマとする。

　このセッションの注目講演は、記憶密度を従来の2倍〜4倍に高められる3D NANDフラッシュメモリ技術である。台湾Macronix Internationalの研究成果だ（講演番号3.2）。

　従来の3D NANDフラッシュメモリ技術では、細長い円筒状のチャンネルの側壁をぐるりと囲む形でゲートが配置されていた。このため、セルトランジスタの水平方向の面積が大きくなっていた。Macronixが開発した技術では、チャンネルの形状を細長い板状に変えており、板の片側の側壁だけにゲートを配置した。セルトランジスタの水平方向の面積が減少し、記憶密度が高まる。試作したメモリセルアレイでは、1万回の書き換え寿命を得ているという。

セッション3の講演一覧（クリックで拡大）

（次回に続く）

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