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IV族レーザーと高密度3D NAND技術福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー(2)(2/2 ページ)

» 2015年11月04日 09時30分 公開
[福田昭EE Times Japan]
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3D NANDフラッシュの密度を2倍〜4倍に高める

 続いてセッション3を概観する。「メモリ技術」をメインテーマとするいくつかのセッションの中で、「相変化メモリとフラッシュ」をサブテーマとする。

 このセッションの注目講演は、記憶密度を従来の2倍〜4倍に高められる3D NANDフラッシュメモリ技術である。台湾Macronix Internationalの研究成果だ(講演番号3.2)。

 従来の3D NANDフラッシュメモリ技術では、細長い円筒状のチャンネルの側壁をぐるりと囲む形でゲートが配置されていた。このため、セルトランジスタの水平方向の面積が大きくなっていた。Macronixが開発した技術では、チャンネルの形状を細長い板状に変えており、板の片側の側壁だけにゲートを配置した。セルトランジスタの水平方向の面積が減少し、記憶密度が高まる。試作したメモリセルアレイでは、1万回の書き換え寿命を得ているという。

セッション3の講演一覧
セッション3の講演一覧2 セッション3の講演一覧(クリックで拡大)

次回に続く

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