「福田昭のデバイス通信」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

福田昭のデバイス通信（478） AIサーバの放熱技術（11）：
AIサーバから始まるデータセンターの液体冷却時代
今回から、純水や冷却液などの液体を使ってラックマウントサーバを冷却する「液体冷却システム」の概要を解説する。（2024/10/28）

福田昭のデバイス通信（477） AIサーバの放熱技術（10）：
液冷と空冷のハイブリッド冷却を液体の熱交換器で強化
今回は、既存の強制空冷システムに液体冷却ユニットを追加した「ハイブリッド冷却システム」を、さらに強化する手法を説明する。（2024/10/22）

福田昭のデバイス通信（476） AIサーバの放熱技術（9）：
サーバをさらに冷やす、液冷と空冷のハイブリッド冷却
今回は、既存の強制空冷システムに液体冷却システムを追加した「ハイブリッド冷却システム」を解説する。（2024/10/16）

福田昭のデバイス通信（475） AIサーバの放熱技術（8）：
空冷と液冷の違いを基礎の基礎から理解する
今回は、空冷（空気冷却）技術と液冷（液体冷却）技術の違いを説明する。（2024/10/11）

福田昭のデバイス通信（474） AIサーバの放熱技術（7）：
ラックサーバの冷却能力をさらに強化する後部扉熱交換器（RDHX）
今回は、「後扉熱交換器（RDHX：Rear Door Heat Exchanger）」方式または「リアドア空調」方式と呼ばれる冷却方式を取り上げる。（2024/10/4）

福田昭のデバイス通信（473） AIサーバの放熱技術（6）：
ルーム内に冷却器を追加してラックマウントサーバの冷却能力を高める
今回から、データセンターやラックマウントサーバの冷却能力を高める技術を解説する。サーバルーム内に補助となる冷却器を追加する、ラックマウントサーバの排気口で空気を冷やすなどの手法を紹介する。（2024/10/1）

福田昭のデバイス通信（472） AIサーバの放熱技術（5）：
GPUの台頭と進化がサーバの消費電力を急増させる
AI（人工知能）対応でCPUとGPUの消費電力は増大している。そのため、既存のデータセンターの冷却に大きな負担がかかっている。（2024/9/25）

福田昭のデバイス通信（471） AIサーバの放熱技術（4）：
ラックサーバのデータセンターを支える空冷技術
データセンターの放熱／冷却システムの詳細を解説する。まずは空冷方式を取り上げる。（2024/9/18）

福田昭のデバイス通信（470） AIサーバの放熱技術（3）：
サーバの主なフォームファクター
今回は、サーバの主なフォームファクター（外形の形状と寸法）を解説する。大きく分けて、3つのフォームファクターがある。（2024/9/11）

福田昭のデバイス通信（469） AIサーバの放熱技術（2）：
放熱と冷却の基本的な技術
今回は、放熱と冷却の基本的な技術を解説する。（2024/9/6）

福田昭のデバイス通信（468） AIサーバの放熱技術（1）：
熱に関する基礎知識
「Hot Chips 2024」の技術講座（チュートリアル）のテーマは放熱技術だった。CPU／GPUの消費電力が増加し、サーバやデータセンターの放熱技術に対する注目が集まっているからだ。本シリーズでは、Hot Chips 2024の技術講座などをベースに、最新の放熱技術を解説する。（2024/9/3）

福田昭のデバイス通信（467） ECTC現地レポート（5）：
過去最大数の参加者を集めたECTC 2024
「ECTC 2024」は初めて参加者が2000人を突破し、大盛況となった。最終日の昼食会ではラッフル（番号くじ）が行われた。筆者も驚くほど「想定外の豪華賞品」が次々に登場し、会場は大いに盛り上がった。（2024/7/25）

福田昭のデバイス通信（466）ECTC現地レポート（4）：
日本の20倍もの学生が毎年卒業する中国の大学教育
「ECTC 2024」のプレナリーセッションの最終日（2024年5月31日）には、半導体業界の人材育成に関するパネル討論が行われた。その中から中国Central South University（中南大学）と米国Texas Instrumentsの講演を紹介する。（2024/7/12）

福田昭のデバイス通信（465） ECTC現地レポート（3）：
技術者不足が深刻になる10年後の半導体産業
「ECTC 2024」のプレナリーセッションの最終日（2024年5月31日）には、半導体業界の人材育成に関するパネル討論が行われた。その中からいくつかの講演を紹介する。（2024/7/9）

福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
ECTCのプレナリーセッションで新材料のスタートアップ3社を紹介
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。（2024/7/2）

福田昭のデバイス通信（463） ECTC現地レポート（1）：
半導体のパッケージ技術とはんだ付け技術の開発成果がECTCに集結
2024年5月に開催された「ECTC 2024」のレポートを複数回にわたりお届けする。（2024/6/28）

福田昭のデバイス通信（462） 2024年度版実装技術ロードマップ（1）：
エレクトロニクスとパッケージ、部品、実装設備の動向を590ページに積載
電子情報技術産業協会（JEITA）が2年ぶりに実装技術ロードマップを更新し、「2024年度版　実装技術ロードマップ」を2024年6月に発行した。ついに電子書籍となった。2024年6月11日には、5年ぶりとなるリアルでの「完成報告会」を都内で開催した。（2024/6/13）

福田昭のデバイス通信（461） 2022年度版実装技術ロードマップ（85）：
高速大容量の光ファイバ通信を支える光コネクタ
長きにわたり続いてきた「2022年度版実装技術ロードマップ」の解説シリーズは、今回で最終回となる。今回は、基板対基板コネクタと光コネクタの動向を解説する。（2024/6/4）

福田昭のデバイス通信（460） 2022年度版実装技術ロードマップ（84）：
半導体の前工程プロセスで製造する「シリコンキャパシタ」
「4.2 基板内蔵部品」のうち、「4.2.2　シリコンキャパシタ」の概要を紹介する。（2024/5/28）

福田昭のデバイス通信（459） 2022年度版実装技術ロードマップ（83）：
電子部品を基板に内蔵させて実装面積を減らす
今回からは「4.2 基板内蔵部品」の概要を解説する。（2024/5/24）

福田昭のデバイス通信（458） 2022年度版実装技術ロードマップ（82）：
適切なはんだ量の設定方法とスルーホールリフロー
今回は、「4.1.3.4　実装」の後半2つの項目である「適切なはんだ量の設定」と「スルーホールリフロー（THR）対応コンデンサ」について解説する。（2024/5/20）

福田昭のデバイス通信（457） 2022年度版実装技術ロードマップ（81）：
チップ部品のリフローはんだ付けにおける「チップ立ち」対策
今回は、「4.1.3　部品実装・設計時の注意点」の4番目の項目である「4.1.3.4　実装」を取り上げる。実装の不良の要因と対策を説明する。（2024/5/13）

福田昭のデバイス通信（456） 2022年度版実装技術ロードマップ（80）：
抵抗器の電蝕対策
「4.1.3.3 信頼性」の概要を説明する。前回の「振動対策」と「クラック対策」に続き、今回は「電蝕対策」の内容を解説する。（2024/4/25）

福田昭のデバイス通信（455） 2022年度版実装技術ロードマップ（79）：
コンデンサの振動対策とクラック対策
今回は「4.1.3.3 信頼性」の概要を説明する。その中から、「振動対策」と「クラック対策」を取り上げる。（2024/4/19）

福田昭のデバイス通信（454） 2022年度版実装技術ロードマップ（78）：
3端子貫通型フィルタの接続方法と実装レイアウト
今回は「（2）3端子貫通型フィルタの接続と実装のポイント」の概要を説明する。3端子貫通型フィルタを電源ラインに接続する2つの方法と、それぞれの用途を解説する。（2024/4/16）

福田昭のデバイス通信（453） 2022年度版実装技術ロードマップ（77）：
インダクタを実装するときの注意点
今回から、第4章第1節第3項「4.1.3 部品実装・設計時の注意点」の2番目の項目、「4.1.3.2　電気性能」の概要を説明する。（2024/4/9）

福田昭のデバイス通信（452） 2022年度版実装技術ロードマップ（76）：
チップ抵抗器の小型化が過度な温度上昇を招く（後編）
後編となる今回は、「チップ抵抗器の温度上昇と基板放熱の関係」と、「基板放熱に適した新たな温度基準と取組み」の概要を紹介する。（2024/4/2）

福田昭のデバイス通信（451） 2022年度版実装技術ロードマップ（75）：
チップ抵抗器の小型化が過度な温度上昇を招く（前編）
今回から、第4章第1節第3項「部品実装・設計時の注意点」の概要を説明していく。この項は、「熱設計」「電気性能」などの4つのパートで構成される。（2024/3/27）

福田昭のデバイス通信（450） 2022年度版実装技術ロードマップ（74）：
表面実装型電子部品（SMD部品）の開発動向（後編）
後編となる今回は、「セラミックコンデンサの高容量化・低ESR化、薄型化」や「チップ抵抗器の高電力化」について解説する。（2024/3/22）

福田昭のデバイス通信（449） 2022年度版実装技術ロードマップ（73）：
表面実装型電子部品（SMD部品）の開発動向（前編）
前回に続き、第4章「電子部品」の概要を説明する。「4.1.2　技術動向」は、「インダクタのインダクタンス値の拡大」など、3つの項目で構成される。（2024/3/18）

福田昭のデバイス通信（448） 2022年度版実装技術ロードマップ（72）：
表面実装型電子部品（SMD部品）の小型化トレンド
JEITA「2022年度版　実装技術ロードマップ」を解説するシリーズ。今回から、第4章「電子部品」の概要を説明していく。（2024/3/12）

福田昭のデバイス通信（447） 2022年度版実装技術ロードマップ（71）：
プロセッサやメモリなどの進化を支えるパッケージ基板
今回は第3章第4節第8項（3.4.8）「パッケージ基板」の概要を説明する。パッケージ基板の変遷と、パッケージ基板に対する要求仕様のロードマップを解説する。（2024/3/6）

福田昭のデバイス通信（446） 2022年度版実装技術ロードマップ（70）：
プリント基板の「弁当箱」からパッケージとチップまで、電磁シールド技術が進化
JEITA「2022年度版　実装技術ロードマップ」の「パッケージ組立プロセス技術動向」について解説するシリーズ。今回は第3章第4節第6項（3.4.6）「電磁シールド」の概要を説明する。（2024/2/27）

福田昭のデバイス通信（445） 2022年度版実装技術ロードマップ（69）：
シリコンダイを光や熱、ホコリ、機械衝撃などから保護する樹脂封止技術
今回は第3章第4節第5項（3.4.5）「樹脂封止技術（アンダーフィル、モールディング）」の概要を説明する。（2024/2/16）

福田昭のデバイス通信（444） 2022年度版実装技術ロードマップ（68）：
ダイボンディングと電極ボンディングで半導体チップを外部とつなぐ
今回は、第3章第4節第4項（3.4.4）「ダイボンディングおよび電極ボンディング技術」の概要を説明する。（2024/2/13）

福田昭のデバイス通信（443） 2022年度版実装技術ロードマップ（67）：
回路形成済みウエハーの裏面研削とダイシング
今回は第3章第4節第3項（3.4.3）「ウエハ（チップ）薄型化技術とウエハハンドリング」の概要を説明する。第3項は、裏面研磨技術、ウエハーダイシング技術、DBG（Dicing Before Grinding）プロセスの3つで構成される。（2024/1/29）

福田昭のデバイス通信（442） 2022年度版実装技術ロードマップ（66）：
半導体チップの高密度3次元積層を加速するハイブリッド接合
今回から、第3章第4節（3.4）「パッケージ組立プロセス技術動向」の内容を紹介する。本稿では、ハイブリッドボンディングを解説する。（2024/1/23）

福田昭のデバイス通信（441） 2022年度版実装技術ロードマップ（65）：
エリアアレイ表面実装パッケージ（BGA）のロードマップ
今回は、第3章第3節第10項（3.3.10）「その他の表面実装パッケージ」の概要を説明する。（2024/1/19）

福田昭のデバイス通信（440） 2022年度版実装技術ロードマップ（64）：
4Gから5Gミリ波の移動体通信向けフロントエンドパッケージ（後編）
後編となる今回は、誘電体材料パターニング方法とAiP（Antenna in Package）の概要を紹介する。（2024/1/15）

福田昭のデバイス通信（439） 2022年度版実装技術ロードマップ（63）：
4Gから5Gミリ波の移動体通信向けフロントエンドパッケージ（前編）
今回は第3章第3節第5項（3.3.5）「RFデバイスのパッケージ構造と高速・高周波向け配線材料」の概要を紹介する。（2024/1/11）

福田昭のデバイス通信（438） 2022年度版実装技術ロードマップ（62）：
車載パワーデバイスの出力密度向上手法
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。（2024/1/9）

福田昭のデバイス通信（437） 2022年度版実装技術ロードマップ（61）：
プリント基板に半導体チップを埋め込む部品内蔵基板
今回は、FO-WLP（Fan Out-Wafer Level Package）のロードマップと、FO-PLP（Fan Out-Panel Level Package）の一種ともみなせる部品内蔵基板について解説する。（2023/12/22）

福田昭のデバイス通信（436） 2022年度版実装技術ロードマップ（60）：
多ピン小型パッケージ「FO-WLP」の信頼性問題とその対策
今回は初期の「FO-WLP」で生じた信頼性の問題と、問題を解決した組み立てプロセス、再配線層（RDL）を微細化したプロセスを解説する。（2023/12/19）

福田昭のデバイス通信（435） 2022年度版実装技術ロードマップ（59）：
超多ピンと複数ダイ搭載を両立させた小型パッケージFO-WLP
引き続き、各種パッケージ技術の動向を紹介する第3章第3節を取り上げる。今回から「3.3.2.2　FO-WLP、FO-PLP、部品内蔵基板」の概要を紹介する。（2023/12/12）

福田昭のデバイス通信（434） 2022年度版実装技術ロードマップ（58）：
回路形成済みウエハーの状態でダイをパッケージするWL-CSP
今回は第3章第3節第2項（3.3.2）「ウェハレベルパッケージ（WLP）、パネルレベルパッケージ（PLP）、部品内蔵基板」の概要をご説明する。（2023/12/6）

福田昭のデバイス通信（433） 2022年度版実装技術ロードマップ（57）：
多様化するパッケージ技術がデバイスごとの特長を引き出す
前回に続き、第3章「電子デバイスパッケージ」の概要を説明する。今回から、第3章第3節（3.3）「各種パッケージ技術動向」の概要を報告する。（2023/12/1）

福田昭のデバイス通信（432） 2022年度版実装技術ロードマップ（56）：
電子機器の進化を支援する電子デバイスのパッケージ技術
今回からは、「2022年度版　実装技術ロードマップ」の第3章「電子デバイスパッケージ」の概要説明に入る。（2023/11/27）

福田昭のデバイス通信（431） 2022年度版実装技術ロードマップ（55）：
パワーデバイスの温度上昇が接合と放熱構造の変革を促す
今回は、「パワーデバイスにおける接合材料の現状と課題」の概要を紹介する。（2023/11/21）

福田昭のデバイス通信（430） 2022年度版実装技術ロードマップ（54）：
表面実装工程の省エネに寄与する低融点の鉛フリーはんだ
今回は、第2章第6節第6項「2.6.6　接合材料」から、「SMT（Surface Mount Technology）における接合材料の現状と課題」の概要を紹介する。（2023/11/14）

福田昭のデバイス通信（429） 2022年度版実装技術ロードマップ（53）：
エレクトロニクスの進化を後押しする接合技術
JEITAが発行する「2022年度版　実装技術ロードマップ」を紹介するシリーズ。今回から、第2章第6節第6項「2.6.6　接合材料」の概要を紹介していく。（2023/11/10）