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「福田昭のデバイス通信」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「福田昭のデバイス通信」に関する情報が集まったページです。

福田昭のデバイス通信(313) imecが語る3nm以降のCMOS技術(16):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」が抱える、もう1つの課題
今回は前回に続いてシーケンシャルCFETの講演部分を説明する。モノリシックCFETに比べるとシーケンシャルCFETの製造プロセスは難しくない。ただし製造プロセスには大きな制約が付きまとう。前回はその1つである、ウエハーを貼り合わせる界面で欠陥が発生する問題と対策を述べた。今回はもう1つの課題である、温度条件を解説しよう。(2021/7/30)

福田昭のデバイス通信(312) imecが語る3nm以降のCMOS技術(15):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス
今回は、下側(底側、ボトム側)のトランジスタを作り込んでから、その上に別のウエハーを貼り合わせて上側(頂側、トップ側)のトランジスタを作成する「シーケンシャル(Sequential)CFET」の製造プロセスを解説する。(2021/7/27)

福田昭のデバイス通信(311) imecが語る3nm以降のCMOS技術(14):
次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス
今回から、2種類のCFETの製造プロセスを解説していく。始めは「モノリシックCFET」を取り上げる。(2021/7/21)

福田昭のデバイス通信(310) imecが語る3nm以降のCMOS技術(13):
次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類
今回はCFETのトランジスタ構造と、CFETは製造方法の違いによって2種類に分けられることを説明する。(2021/7/16)

福田昭のデバイス通信(309) imecが語る3nm以降のCMOS技術(12):
コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす
引き続き、FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術(コンプリメンタリFET/CFET)の講演部分を紹介する。今回は、CFETがCMOS基本セルの微細化に与えるメリットを具体的に解説する。(2021/7/13)

福田昭のデバイス通信(308) imecが語る3nm以降のCMOS技術(11):
FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術
今回から、「FinFETの「次の次」に来るトランジスタ技術(コンプリメンタリFET)」の講演部分を解説する。(2021/7/9)

福田昭のデバイス通信(307) imecが語る3nm以降のCMOS技術(10):
論理回路セルとSRAMセルを縮小するフォークシート構造
今回は基本的な論理回路セルとSRAMセルで、FinFETとナノシート構造、フォークシート構造のシリコン面積がどのくらい変化するかを説明する。(2021/7/5)

福田昭のデバイス通信(306) imecが語る3nm以降のCMOS技術(9):
フォークシート構造のCMOSロジック製造プロセス
今回は、フォークシート構造のCMOSロジックを製造するプロセスを解説するとともに、試作したトランジスタの断面を電子顕微鏡と蛍光X線分析で観察した画像を提示する。(2021/7/1)

福田昭のデバイス通信(305) imecが語る3nm以降のCMOS技術(8):
フォークシート構造のトランジスタが次世代以降の有力候補である理由
今回は、CMOSロジックの基本セル(スタンダードセル)を微細化する手法の変化と、フォークシート構造の利点について解説する。(2021/6/28)

福田昭のデバイス通信(304) imecが語る3nm以降のCMOS技術(7):
ナノシート構造を超える高い密度を実現するフォークシート構造のトランジスタ
前回に続き、「FinFETの次に来るトランジスタ技術(ナノシートFETとフォークシートFET)」の講演部分を紹介する。imecは、フォークシート構造のトランジスタの研究開発に力を入れている。(2021/6/24)

福田昭のデバイス通信(303) imecが語る3nm以降のCMOS技術(6):
フィンFET(FinFET)の次に来るトランジスタ技術
今回からは「FinFETの次に来るトランジスタ技術(ナノシートFETとフォークシートFET)」の講演部分を報告していく。(2021/6/21)

福田昭のデバイス通信(302) imecが語る3nm以降のCMOS技術(5):
電源供給配線網(PDN)をシリコンダイの裏面に配置して電源をさらに安定化
今回は、CMOSロジックの基本セル(スタンダードセル)に電源を分配する電源供給配線網(PDN:Power Delivery Network)のレイアウトを解説する。(2021/6/17)

福田昭のデバイス通信(301) imecが語る3nm以降のCMOS技術(4):
埋め込み電源配線の構造と材料選択
今回は、BPR(Buried Power Rail)の複雑な構造を説明する略語を定義するとともに、金属材料の候補を解説する。(2021/6/11)

福田昭のデバイス通信(300) imecが語る3nm以降のCMOS技術(3):
電源/接地線の埋め込みで回路ブロックの電圧降下を半分以下に低減
電源/接地配線を基板側に埋め込む「BPR(Buried Power Rails)」について解説する。(2021/6/8)

福田昭のデバイス通信(299) imecが語る3nm以降のCMOS技術(2):
CMOSロジックの高密度化を後押しする次世代の電源配線技術
今回は、CMOSロジックの高密度化手法を簡単に解説する。(2021/6/4)

福田昭のデバイス通信(298) imecが語る3nm以降のCMOS技術(1):
微細化の極限を目指すCMOSロジックの製造技術
「IEDM2020」から、imecでTechnology Solutions and Enablement担当バイスプレジデントをつとめるMyung‐Hee Na氏の講演内容を紹介する。CMOSを3nm以下に微細化するための要素技術を解説する講演だ。(2021/5/28)

福田昭のデバイス通信(297) Intelが語るオンチップの多層配線技術(18):
将来の先端半導体を担うモノリシックな3次元集積化技術
本シリーズの最終回となる今回は、シングルダイ(1枚のシリコンダイ)にモノリシックに成長させる3次元集積化技術について解説する。(2021/1/19)

福田昭のデバイス通信(296) Intelが語るオンチップの多層配線技術(17):
異種デバイスの融合を実現する3次元集積化技術
今回は、異種デバイスの融合を実現する3次元(3D)集積化技術の概要を説明する。(2021/1/15)

福田昭のデバイス通信(295) Intelが語るオンチップの多層配線技術(16):
自己組織化単分子(SAM)膜を使った選択成長プロセス
今回は、自己組織化単分子(SAM)膜を使った選択成長の工程を説明する。(2021/1/12)

福田昭のデバイス通信(294) Intelが語るオンチップの多層配線技術(15):
ビアの位置ずれ不良を救う選択成長技術
今回から、基板表面の一部だけを選んで薄膜を堆積(成長)させる技術(「選択デポジション(selective deposition)」あるいは「選択成長(selective growth)」)と、選択成長技術がビアの位置ずれ不良に応用できることを説明する。(2021/1/6)

福田昭のデバイス通信(293) Intelが語るオンチップの多層配線技術(14):
EUVリソグラフィを補完する自己組織化リソグラフィ
今回は、自己組織化リソグラフィがEUV(極端紫外線)リソグラフィの弱点を補完する技術であることを説明する。(2020/12/25)

福田昭のデバイス通信(292) Intelが語るオンチップの多層配線技術(13):
自己組織化リソグラフィによる微細な配線パターンの形成
前回に続き、「自己組織化リソグラフィ(DSAリソグラフィ)」について解説する。(2020/12/22)

福田昭のデバイス通信(291) Intelが語るオンチップの多層配線技術(12):
露光技術の微細化限界を突破する自己組織化技術
今回から、ArF液浸技術やEUV(極端紫外線)技術などの露光技術の微細化限界を超える、あるいはこれらの露光技術を延命させる次世代のリソグラフィ技術「自己組織化リソグラフィ」をご紹介する。(2020/12/18)

福田昭のデバイス通信(290) Intelが語るオンチップの多層配線技術(11):
多層配線の性能を向上させるエアギャップと2次元材料
今回は、多層配線の容量を下げる要素技術「エアギャップ」と、多層配線の抵抗を下げる要素技術「2次元(2D)材料」について解説する。(2020/12/15)

福田昭のデバイス通信(289) Intelが語るオンチップの多層配線技術(10):
多層配線のアスペクト比(AR)を高める2つの要素技術
配線のアスペクト比(AR)を高める、2つの要素技術について解説する。(2020/12/11)

福田昭のデバイス通信(288) Intelが語るオンチップの多層配線技術(9):
多層配線のアスペクト比(AR)と抵抗および容量の関係
今回は、配線のアスペクト比(AR)と配線抵抗および配線容量の関係を概説する。(2020/12/8)

福田昭のデバイス通信(287) Intelが語るオンチップの多層配線技術(8):
多層配線のアスペクト比を定義する
今回は、金属配線の抵抗と容量を大きく左右する、配線の「アスペクト比(AR:Aspect Ratio)」について解説する。(2020/12/4)

福田昭のデバイス通信(286) Intelが語るオンチップの多層配線技術(7):
銅配線の微細化限界を拡張するサブトラクティブ技術
前回に続き、配線プロセスの代表であるダマシン技術とサブトラクティブ技術を解説する。(2020/11/30)

福田昭のデバイス通信(285) Intelが語るオンチップの多層配線技術(6):
銅配線の微細化限界を左右するダマシン技術
今回は、配線製造プロセスの基本部分である、配線パターンの形成技術「ダマシン(damascene)技術」と「サブトラクティブ(subtractive)技術」にについて解説する。(2020/11/25)

福田昭のデバイス通信(284) Intelが語るオンチップの多層配線技術(5):
多層配線の微細化と性能向上を両立させる要素技術
今回から、多層配線の微細化と性能向上を両立させる要素技術について解説していく。(2020/11/20)

福田昭のデバイス通信(283) Intelが語るオンチップの多層配線技術(4):
銅(Cu)配線の微細化と静電容量の増大
今回は、銅(Cu)配線の寸法と静電容量(単位長当たりの容量値)の関係を説明する。(2020/11/17)

福田昭のデバイス通信(282) Intelが語るオンチップの多層配線技術(3):
銅(Cu)配線の微細化と抵抗値の増大
引き続き、オンチップの多層配線技術に関するIntelの講演内容を紹介する。今回は、銅配線の寸法と電気抵抗の関係を説明する。(2020/11/6)

福田昭のデバイス通信(281) Intelが語るオンチップの多層配線技術(2):
ムーア則の維持に貢献する配線技術
「VLSIシンポジウム」から、オンチップの多層配線技術に関するIntelの講演内容を紹介するシリーズ。将来の配線技術には、サブトラクティブ法や低誘電率絶縁材料などに期待がかかっている。(2020/11/2)

福田昭のデバイス通信(280) Intelが語るオンチップの多層配線技術(1):
オンチップの相互接続技術を過去から将来まで概観
2020年6月にオンラインで開催された「VLSIシンポジウム」から、オンチップの多層配線技術に関するIntelの講演内容を紹介する。(2020/10/28)

福田昭のデバイス通信(279) 2019年度版実装技術ロードマップ(87):
実装設備間の次世代通信規格「SEMI SMT-ELS」(後編)
「2019年度版実装技術ロードマップ」解説の最終回となる今回は、前回に続き実装設備間の次世代通信規格「SEMI SMT-ELS」について説明する。(2020/10/23)

福田昭のデバイス通信(278) 2019年度版実装技術ロードマップ(86):
実装設備間の次世代通信規格「SEMI SMT-ELS」(前編)
実装ラインの次世代通信規格を前後編で解説する。前編となる今回は、従来の通信規格「SMEMA」と、それを置き換える「JARAS1014」を紹介する。(2020/10/20)

福田昭のデバイス通信(277) 2019年度版実装技術ロードマップ(85):
実装設備が目指す方向と今後の課題
今回は、実装設備の将来像と今後の課題を取り上げる。(2020/10/16)

福田昭のデバイス通信(276) 2019年度版実装技術ロードマップ(84):
封止材料に対する要求項目のランキング
今回は「封止材料」に対するユーザーの要望を調査した結果を紹介する。(2020/10/13)

福田昭のデバイス通信(275) 2019年度版実装技術ロードマップ(83):
接合材料に対する要求項目のランキング
ロードマップ第6章「実装設備」の第4節「実装技術動向」を説明するシリーズ。今回は、「接合材料」に対するユーザーの要望を調査した結果を紹介する。(2020/10/8)

福田昭のデバイス通信(274) 2019年度版実装技術ロードマップ(82):
実装設備が対応すべきプリント配線板と部品供給方式のロードマップ
引き続き、「実装技術動向」を紹介する。今回は、実装設備が対応すべき、プリント配線板と部品供給方式のロードマップについて解説する。(2020/10/6)

福田昭のデバイス通信(273) 2019年度版実装技術ロードマップ(81):
実装設備が対応すべき部品と搭載精度のロードマップ
今回から、第6章「実装設備」の第4節「実装技術動向」を説明する。まずはチップ部品の技術ロードマップを取り上げる。(2020/10/2)

福田昭のデバイス通信(272) 2019年度版実装技術ロードマップ(80):
ベアチップ/フリップチップを高い精度で装着
実装設備に要求する項目のアンケート結果を紹介するシリーズ。今回は「ベアチップ/フリップチップボンダ」に対する要求を説明する。(2020/9/29)

福田昭のデバイス通信(271) 2019年度版実装技術ロードマップ(79):
重要さを増す検査機からのフィードバック
引き続き、実装設備に要求する項目のアンケート結果を紹介する。今回は、「検査機」に対する要求と対策を取り上げる。(2020/9/25)

福田昭のデバイス通信(270) 2019年度版実装技術ロードマップ(78):
リフローの温度バラツキを10℃以内に縮める
前回に続き、実装設備に要求する項目のアンケート結果を紹介する。今回は「リフロー(リフローはんだ付け装置)」に対する要求と対策を説明する。(2020/9/18)

福田昭のデバイス通信(269) 2019年度版実装技術ロードマップ(77):
装着精度維持の自動化と高密度化対応がマウンタの課題
引き続きアンケート結果を紹介する。今回は「マウンタに対する要求と動向」についてで、実装設備の中では最も多い回答件数を集めている。(2020/9/15)

福田昭のデバイス通信(268) 2019年度版実装技術ロードマップ(76):
はんだ印刷位置の精度向上とはんだ量のばらつき低減が課題
今回から、実装設備に対する具体的な要求項目の重要度(順位)を説明していく。まずは「印刷機(スクリーン印刷機)」を取り上げたい。(2020/9/11)

福田昭のデバイス通信(267) 2019年度版実装技術ロードマップ(75):
実装設備に対する要求を世界各地のユーザーから取得
今回から、実装設備のユーザー(セットメーカーやモジュールメーカー、アセンブリ受託企業など)が実装設備に要求する項目と重要度を、JEITAがアンケート調査した結果を報告していく。(2020/9/8)

福田昭のデバイス通信(266) 2019年度版実装技術ロードマップ(74):
実装工程の生産性をマウンタの速度が大きく左右
今回は実装工程の生産性を左右する2つの要因を解説する。1つは実装設備(主にマウンタ)の速度、もう1つはマウンタにおける部品の補充や段取り換えなどに要する時間である。(2020/9/3)

福田昭のデバイス通信(265) 2019年度版実装技術ロードマップ(73):
高速・高精度・低コストの実装工程を支える設備と材料
第6章「実装設備」の概要を説明する。まずは表面実装の設備と材料を取り上げる。(2020/9/1)

福田昭のデバイス通信(264) 2019年度版実装技術ロードマップ(72):
有機樹脂基板とガラス基板、パネルレベル基板の技術ロードマップ
今回は「有機樹脂基板(有機樹脂サブストレート)」と「ガラス基板(ガラスサブストレート)」、「パネルレベル基板(パネルレベルサブストレート)」の技術ロードマップを紹介する。(2020/8/14)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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