メディア

14/16nm世代のSRAMと第3の2Dデバイス材料：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（5）（3/3 ページ）

» 2015年11月11日 09時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

第3の2Dデバイス材料「黒リン」に注目

　セッション12（モデリングとシミュレーション）のテーマは、「2Dデバイスと有機半導体デバイスのモデリング」である。なお、ここで「2Dデバイス」とはプレーナ・デバイスのことではなく、原子層レベルの厚みしかもたない、極めて薄いデバイスを指す。原理的にはキャリアの移動度が極めて高いことから、次世代の高速デバイスを狙った研究が活発になっている。

　2Dデバイスの材料としては従来からグラフェン（炭素原子の平面構造）と二硫化モリブデン（MoS₂）が知られている。これらに続く第3の2Dデバイス材料として急速に注目を集めて始めたのが「黒リン（Black Phosphorus）」だ。黒リンそのものは100年ほど前から知られている。ただし、電子デバイスと光デバイスへの応用可能性が指摘されたのは昨年（2014年）のことである。IEDM 2015では、シミュレーションによって黒リンの電子物性を検討した結果が報告される。

　スイスのETH Zurichは、単一層の黒リンによるnチャンネルFETとpチャンネルFETのキャリア移動度をシミュレーションによって検討した結果を報告する（講演番号12.1）。またシンガポールのNational University of Singaporeと米国のNortheastern Universityの共同研究チームは、チャンネル長が7nmと微細な黒リンのFETで電流特性を計算した結果を発表する（講演番号12.2）。

セッション12の講演一覧（クリックで拡大）

（次回に続く）

2019年までのストレージ市場を展望する（前編）
米国のストレージ専門調査会社TRENDFOCUSは、2015年5月に東京で開催された「DiskCon Japan 2015」で、ストレージ市場の最新状況を解説するとともに、2019年までの市場動向を展望した。今回は、ハードディスク装置（HDD）の市場動向に関する講演内容を紹介する。
「経験で設計すると失敗する」、ルネサスが提示する16nm FinFET SRAMの課題
ルネサスエレクトロニクスは、16nm FinFETプロセスを用いてSRAMを試作したと発表した。プレーナ型MOSFETを使う場合に比べて低い動作電圧で高速読み出しに成功しているが、一方でFinFETと、微細化プロセスを用いたことによる課題も増えている。
サンディスクが単価1ドル/GB以下の「InfiniFlash」
サンディスク（SanDisk）は、エンタープライズ向けオールフラッシュストレージプラットフォーム「InfiniFlash」について、日本市場でも2015年11月中旬より供給を始める。3Uサイズの筐体で最大容量512TB（テラバイト）を可能にするとともに、ギガバイト単価を1米ドル以下にするなど低コストを実現した。
革新的な磁気メモリ材料の発見か
東京大学物性研究所の中辻知准教授らの研究グループは2015年10月29日、反強磁性体において異常ホール効果を「世界で初めて観測した」と発表した。同研究グループは高密度/高速な不揮発性メモリ素子の実現につながる発見としている。