CMOS微細化は2024年までに終息する見込み：半導体技術ロードマップ（2/2 ページ）

» 2017年03月27日 11時30分公開

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IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術（前編）
米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。
Intel、「ムーアの法則は微細化の実現ではない」
「ISPD 2016」においてIntelは、10nmプロセス以降もCMOSに注力する考えであることを明らかにした。同社はそこで、ムーアの法則は微細化そのものというわけではなく、より多くのダイをウエハー上に形成することで利益を確保することだと、述べている。
わずかな微細化、見合わぬ労力
「IMEC Technology Forum（ITF） 2016」では、半導体業界の将来に関する基調講演やインタビューが多数行われた。GLOBALFOUNDRIESのCTOを務めるGary Patton氏は、「2年ごとにコストを35％ずつ下げ、性能を20％ずつ上げることのできた時代は20nmプロセスで終わった」と述べる。
MobileyeとIntelは車載分野の“Wintel”になれるか
車載市場への野心を燃やすIntelは、Mobileyeとの関係を順調に深めているようだ。カメラセンサーを用いたADAS（先進運転支援システム）分野では抜群に高い知名度を持つMobileyeと、その同社と組むIntelはこれから先どこに向かうのか。
IntelとMobileyeの独占状態、吉か凶か
IntelによるMobileyeの買収発表は、業界にさまざまな反応を引き起こした。専門家の見解は両極端だが、この2社によって自動運転車市場が独占されるのではないか、そしてそれは、健全な競争を妨げるのではないかという懸念は確実に存在する。
パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。