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従来型材料を使った強誘電体トランジスタの研究開発（前編）：福田昭のストレージ通信（74）強誘電体メモリの再発見（18）（2/2 ページ）

» 2017年09月07日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

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有機高分子の強誘電体トランジスタは耐熱性が大きな課題

　一方、有機高分子の強誘電体材料であるPVDF-TrFEを使った強誘電体トランジスタは、有機基板とシリコン基板の両方で試作された。ただしデータ保持特性は芳しくない。強誘電性を有するトランジスタとして動作を確認するレベルにとどまっている。

　またPVDF-TrFEの場合、耐熱性が250℃と低い。このため、シリコンのCMOSプロセスで不揮発性メモリを実現することは、困難だと考えられている。

有機高分子の強誘電体材料であるPVDF-TrFEを使った強誘電体トランジスタの特性例。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）

（次回に続く）

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