「MRAMの導入は速く進む」 STTが強気な見解：市場の見通しは明るい（2/2 ページ）

» 2017年09月15日 13時30分公開

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STT-MRAMの基礎――情報の蓄積に磁気を使う
次世代不揮発メモリの候補の1つに、STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）がある。データの読み書きが高速で、書き換え可能回数も多い。今回から始まるシリーズでは、STT-MRAMの基本動作やSTT-MRAが求められている理由を、「IEDM2015」の講演内容に沿って説明していこう。
STT-MRAMの概要と応用の可能性
STT-MRAMを解説するシリーズの2回目となる今回は、STT-MRAMにおける論理値（「0」か「1」か）の判別方法やメモリアレイセルの構造などを説明する。
スピン注入型MRAMの微細化（スケーリング）
STT-MRAMの記憶容量を拡大する最も基本的な方法が、微細化だ。現時点でSTT-MRAMは、研究レベルでかなりのレベルまで微細化できることが分かっている。実際の研究結果を交えて紹介しよう。
電圧トルクMRAM、書き込みエラー率を低減
産業技術総合研究所（産総研）は、電圧書込み方式磁気メモリ（電圧トルクMRAM）の書込みエラー率を従来の200分の1に低減する技術を開発した。
次世代メモリ、STT-MRAMが優勢か
IMECは、STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気メモリ）を次世代メモリの最有力候補とみているようだ。
微細化、「3nmまでいくのでは」
「ムーアの法則」の生みの親であるGordon Moore氏が、ハワイの自宅でベルギーIMECのビデオインタビューに応じ、未来の技術に関する自身の見解や、1965年以来半導体業界に大きな影響を及ぼし続けてきたムーアの法則の今後について語った。87歳となった同氏は、謙虚なエンジニアはいつまでも自分を笑いの種として語れることを示してみせた。