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試作された反強誘電体キャパシターの長期信頼性：福田昭のストレージ通信（83）反強誘電体が起爆するDRAM革命（4）（2/2 ページ）

» 2017年10月17日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

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10年間のデータ保持期間を外挿から推定

　NaMLabやドレスデン工科大学などの共同研究グループは、試作した反強誘電体キャパシターのデータ保持特性も測定した。測定温度は50℃と100℃である。いずれの温度でも、48時間まで測定したところ、目立った劣化は見られなかった。

試作した反強誘電体キャパシターのデータ保持特性。上は測定温度が50℃、下は測定温度が100℃の場合。縦軸は分極電荷量の相対値。横軸は時間（分）。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）

　測定結果を外挿したところ、10年間のデータ保持期間が十分に達成可能だとの見通しを得ている。書き換えサイクル寿命の測定結果と併せ、研究室レベルではあるものの、不揮発性RAMとしての可能性が十分にあることを示している。

（次回に続く）

⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧

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