電気通信と光通信の境界：福田昭のデバイス通信（142） imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術（2）（3/3 ページ）

» 2018年04月10日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

光ネットワークの帯域向上には光部品の集積化が必要

　光による信号伝送とスイッチングの速度を高めるには、光部品の集積化が必要である。光送信器や光受信器、光結合器、光フィルター、光変調器、光増幅器などの光部品はいずれも複雑かつ大規模になっている。

　複雑かつ大規模な光集積化（フォトニクスインテグレーション）を担うと期待されているのが、化合物半導体のインジウムリン（InP）を材料とする集積化技術である。InPを基本とする光集積回路は発光や受光、変調、結合、分岐などの機能を搭載可能で、超高速の光送受信とスイッチングを実現する。

　InPを使う光集積回路の弱点は2つある。1つは材料コストと製造コストが高いこと。もう1つは、シリコンIC（CMOSデバイス）との一体化が困難なこと。これらの弱点を緩和する技術として期待されるのが、「シリコンフォトニクス」である。

複雑化する光部品のトレンドとインジウムリン（InP）集積化技術の利害得失。出典：imec（クリックで拡大）

（次回に続く）

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