VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表：京都で2019年6月9〜14日開催（3/3 ページ）

[竹本達哉，EE Times Japan]

VLSI回路シンポジウム注目論文

• マルチモード細胞センサー／電気刺激発生器アレイ（Georgia Institute of Technology）
  • チップ上に培養した細胞に対して多角的な計測を行うセンサー。130nm標準CMOSプロセスで実現されており、電位、光、4端子インピーダンスイメージングを行うことができる。
• IoT応用向け低電力組み込みフラッシュメモリ（ルネサス エレクトロニクス）
  • 65nm SOTB（Silicon On Thin Buried oxide）プロセスによる1.5Mバイトの2T-MONOSフラッシュマクロ。64MHzで動作する混載フラッシュであり、読み出し電力は0.22pJ/ビットと低く、環境発電で動作する機器などに適用できる。
• Time-of-Flight（ToF）測距用CMOSイメージセンサー（Samsung Electronics）
  • 5nmの裏面照射プロセスを用いた640x480、7μm画素の間接型ToF CMOSイメージセンサー。1画素あたり同時にアクセス可能な4つのタップ（ゲート）を用い、従来の2-tap型に比して偽信号が発生しない距離画像を達成した。
• スケーラブルなマルチチップモジュールベースのDNNアクセラレータ（NVIDIA）
  • マルチチップモジュール(MCM)上に36チップがメッシュ型ネットワークで結合されたスケーラブルなDNN（ディープニューラルネットワーク）アクセラレータ。16nmプロセスの試作品は，1.29TOPS/mm²、0.11pJ/op、4.01TOPSの1チップでのピーク性能を達成するとともに，ピーク時127.8TOPSと2615イメージ/秒のResNet-50の推論を36チップシステムで可能にした。

VLSI回路シンポジウム注目論文の概要（1） （クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会
左＝マルチモード細胞センサー／電気刺激発生器アレイ
右＝スケーラブルなマルチチップモジュールベースのDNNアクセラレータ

• ノーマリオフコンピューティングのためIGZOを用いたMCU（半導体エネルギー研究所）
  • 電源遮断中に演算ユニットとメモリの双方にデータを保持することを可能とし、1クロック（21ナノ秒）での退避処理を実現しつつ、4.49マイクロ秒という高速な復帰処理を実現。60nmのIGZOプロセスで実装。
• 5G IoT向けDC/DCコンバーター（University of Texas at Dallas）
  • 5G（第5世代移動通信）対応IoT機器の電源回路に適したDC/DCコンバーター。二重適応型ヒステリシス制御で1A/3ナノ秒という傾きの負荷変動に対して、負荷増加時、負荷減少時それぞれで247ナノ秒、387ナノ秒という短時間で目標電圧に対して1%以内に出力電圧が収束。

VLSI回路シンポジウム注目論文の概要（2） （クリックで拡大） 出典：VLSIシンポジウム委員会
左＝ノーマリオフコンピューティングのためIGZOを用いたMCU
右＝5G IoT向けDC/DCコンバーター