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Intelの創業10年目（1977年）：5V単一電源で動くUV-EPROMを発表：福田昭のデバイス通信（188）Intelの「始まり」を振り返る（21）（2/2 ページ）

» 2019年05月14日 11時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

DRAMの大容量化、SRAMの高速化、UV-EPROMの大容量化が進む

　ここからは電源電圧の話題からは離れることにする。代表的なメモリ製品であるMOS DRAMとMOS SRAM、MOS UV-EPROMの当時の状況を述べよう。

　DRAMの主力は記憶容量が4Kビットの製品である。記憶容量が8Kビットの製品もある。最大容量の製品は16Kビット品だ。ただし前回でも述べたように、16Kビットの量産は立ち上げに苦労している。

　SRAMの主力は記憶容量が4Kビットの製品である。1977年は高速のnチャンネルMOS技術（HMOS技術）の開発が完了した。HMOS技術を採用した高速SRAMを同年に発表している。この高速SRAMは記憶容量が4Kビットと同等ながら、アクセス時間を55ナノ秒と従来品の4分の1近くにまで短くした。

　UV-EPROMの主力は記憶容量が8Kビットの製品である。1977年は大容量化と電源の簡素化を並行して進めた。記憶容量が16Kビットと大きく、電源電圧が5V単一のUV-EPROM製品を発表している。

1977年におけるメモリ製品の状況。1977年の年次報告書（アニュアルレポート）と1978年版の製品カタログ（Component Data Catalog 1978）を基に作成

（次回に続く）

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

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