3D NANDフラッシュの製造コストを2022年まで予測：福田昭のストレージ通信（181） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（8）（1/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

大手メーカー5社のシリコンダイ製造コストとその推移

　フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日〜12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（FMS 2020）は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。

　FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの動向に関するセッション「C-9: Flash Technology Advances Lead to New Storage Capabilities」が興味深かった。このセッションは4件の講演があり、その中でアナリストによる3件の講演が特に参考になったので、講演の概要をご紹介する。

　なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

　本シリーズの第4回から、半導体メモリのアナリストであるMark Webb氏の「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025（フラッシュメモリの技術とコストを2025年まで展望する）」と題する講演の概要を紹介している。第4回は、3D NANDフラッシュメモリ（以降は「3D NANDフラッシュ」と表記）大手の近況を、第5回は中国の3D NANDフラッシュベンチャー、YMTC（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.）の現状を、第6回（前々回）は次世代3D NANDフラッシュの姿を、第7回（前回）はウエハーコストが世代交代でどのように変わるかをご報告した。

講演の目次。今回は目次の4番目に関する講演部分をご説明する。出典：FMS 2020の講演「Flash Memory Technologies and Costs Through 2025」の配布資料（クリックで拡大）

　今回は3D NANDフラッシュのシリコンダイ製造コストが2020年〜2022年にどのように変化するかを解説する。対象品目は64層のTLC（3ビット/セル）品（メーカーは不明）、96層のTLC品（大手メーカーA社からE社までの5社）、96層のQLC（4ビット/セル）品（大手メーカーB社）、128層のTLC品（大手メーカーA社からE社までの5社）、128層のQLC品（メーカーは不明）、176層のTLC品（同）、176層のQLC品（同）、256層のTLC品（同）、中国YMTCの64層（TLCだと思われる）品である。