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» 2021年05月12日 09時30分 公開

東芝、SiCモジュール向けパッケージ技術を開発面積を約20%削減、信頼性は2倍に

東芝デバイス&ストレージは、SiC(炭化ケイ素)モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20%削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

銀焼結による接合を採用

 東芝デバイス&ストレージは2021年5月、SiC(炭化ケイ素)モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20%削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。

 開発したパッケージ技術「iXPLV」は、銀焼結による接合を採用した。これにより、素子と銅板の接合部が劣化するのを抑えることができるという。しかも、従来のはんだによる接合に比べて熱抵抗が小さく、パッケージ内部に熱がこもりにくいため、チップの実装密度を高めることが可能になり、パッケージの面積削減を可能にした。

 例えば、同じ耐圧の製品で外形寸法を比べると、従来品の140×130mmに対し、iXPLVは140×100mmと小型化できる。また、オンとオフを繰り返して製品の劣化を評価するパワーサイクル試験において、5%以上の電圧変化が生じるまでのサイクル数は、従来品の約2倍になった。

iXPLVの外観とパワーサイクル試験の結果 (クリックで拡大) 出典:東芝デバイス&ストレージ

 iXPLVを採用したSiCモジュール製品は、2021年5月下旬から量産を始める予定である。なお、開発した技術の詳細については、オンラインで開催されたパワー半導体の国際学会「PCIM Europe」で発表した。

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