微細化ロードマップで導入する要素技術の背景を説明しよう。配線の微細化による主なデメリットは、抵抗値の増加とエレクトロマイグレーション耐性の低下である。いずれも配線のAR比を高めることによって緩和できる。例えばAR比を2から3.5に高めると、単位長当たりの抵抗値は約半分に低下する。
ただし、AR比を高めると配線間の静電容量が増加するという問題が生じる。例えばAR比を2から3.5に高めると、単位長当たりの容量値は42%増加する。
この問題を緩和するために、隣接配線間の絶縁にエアギャップを導入する。エアギャップの比誘電率は1.00であり、理論的には誘電率の最も低い絶縁物である。エアギャップを導入すると、AR比が3.5のときに容量値の増加は23%に抑えられる。
imecはセミダマシン技術やエアギャップ技術などを導入した、32nmピッチの2層配線をルテニウム(Ru)で試作済みである。第1層金属配線、ビア電極、第2層金属配線の全てにRuを採用した。
(次回に続く)
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