メディア
パワーエレクトロニクス最前線 特集
ニュース
» 2022年01月28日 13時30分 公開

東芝、Dual SiC MOSFETモジュール2製品を発表耐圧1200V品と1700V品

東芝デバイス&ストレージは、産業用機器向けにSiC(炭化ケイ素)MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。

[馬本隆綱,EE Times Japan]

パッケージは一般的なシリコンIGBTモジュールと取り付け互換

 東芝デバイス&ストレージは2022年1月、産業用機器向けにSiC(炭化ケイ素)MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。

Dual SiC MOSFETモジュールの外観

 新製品は、耐圧が1200Vでドレイン電流定格が600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧が1700Vでドレイン電流定格が400Aの「MG400V2YMS3」である。これらは、一般的なシリコンIGBTモジュールと取り付け互換性のあるパッケージ「2-153A1A」で供給する。

 また、一般的なシリコンIGBTモジュールと比べ、低損失特性を実現している。MG600Q2YMS3のドレイン−ソース間オン電圧(センス端子)は0.9V(代表値)、ターンオンスイッチング損失は25mJ(同)、ターンオフスイッチング損失は28mJ(同)である。同様にMG400V2YMS3は、0.8V(代表値)、28mJ(同)、27mJ(同)となっている。また、いずれも定格抵抗が5.0kΩのサーミスターを内蔵した。

 新製品は、鉄道車両向けのインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システム、モーター制御機器、高周波絶縁DC-DCコンバーターといった用途に向ける。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.