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車載用アナログIC向けプラットフォームを開発：不揮発性メモリを1チップに集積

東芝デバイス＆ストレージとジャパンセミコンダクターは、不揮発性メモリ（eNVM）を混載できる車載用アナログIC向けプラットフォームを開発した。2022年12月より、同プラットフォームを用いて開発した車載向けICのサンプル出荷を始める予定。

» 2022年06月02日 10時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

オン抵抗を最大44％低減できるLDMOS構造などを用意

　東芝デバイス＆ストレージとジャパンセミコンダクターは2022年5月、不揮発性メモリ（eNVM）を混載できる車載用アナログIC向けプラットフォームを開発したと発表した。2022年12月から、同プラットフォームを用いて開発した車載向けICのサンプル出荷を始める予定。

　開発した0.13μm世代の車載用アナログIC向けプラットフォームは、用途に合わせて選択が可能な3種類のLDMOS構造や、eNVMをはじめとするさまざまな素子を用意している。これによって、車載向けアナログ回路とeNVMなどを、1チップに集積することが可能になった。しかも、車載用半導体の信頼性規格である「AEC-Q100」のGrade-0に対応している。

車載用アナログIC向けプラットフォームで用意した素子群（クリックで拡大）出所：東芝デバイス＆ストレージ

　LDMOSは、オン抵抗とドレイン－ソース間ブレークダウン電圧の特性が、トレードオフの関係にあり、ドレイン－ソース間ブレークダウン電圧が同じであれば、オン抵抗が小さいほど、素子の性能が優れていることになる。今回は、ドレイン・ソース間に「Stepped-oxide」あるいは「LOCOS」を配置した2種類のLDMOSを用意した。これらはSTI構造のLDMOSに比べて、オン抵抗が最大44％低減することを確認した。

選択可能な3種類のLDMOS。左からSTI構造、Stepped-oxide構造、LOCOS構造（クリックで拡大）出所：東芝デバイス＆ストレージ

　フローディア製のeNVM「Floadia LEE Flash G1」を混載するには、新たにマスクを3枚追加するだけで済むという。アナログ回路内で発生したノイズによるeNVMの動作不具合を防ぐため、レイアウトなどの工夫も行った。

Floadia製eNVMのTEM画像とエンデュランスおよび、データリテンションの評価結果（クリックで拡大）出所：東芝デバイス＆ストレージ他

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