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三菱電機、シリコンRF高出力MOSFETモジュール発売：新開発のMOSFETを搭載

三菱電機は、業務用無線機に向けたシリコンRF高出力MOSFETモジュール「RA50H7687M1」を開発し、2022年8月1日から発売する。

» 2022年07月19日 10時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

763～870MHzの周波数帯域で出力電力50W、総合効率40％を実現

　三菱電機は2022年7月、業務用無線機に向けたシリコンRF高出力MOSFETモジュール「RA50H7687M1」を開発し、2022年8月1日から発売すると発表した。

RA50H7687M1の外観出所：三菱電機

　新製品は、オン抵抗とドレイン－ソース間容量を低減した新開発のMOSFETを搭載した。これにより、763～870MHzの周波数帯域において、出力電圧50Wと総合効率40％を実現した。ドレイン供給電圧は12.5V、入力電力は50mW。

　高出力化により、業務用無線機器の通信距離を、従来に比べ最大6％拡大できるという。また、出力変換効率が向上したことで、MOSFETの発熱も小さくなり、機器の電力消費を抑えるとともに、小型化を可能にした。さらに、入出力整合回路を内蔵したことで、外付け回路の設計が容易となった。サンプル価格は4500円。

　同社は、新型MOSFETを搭載した900MHz周波数帯モジュールも2023年1月をめどに発売する予定である。

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