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3D DRAMからCXLメモリまで、Micronの見解を聞く：1βでは広島が大きな役割を果たす（2/2 ページ）

» 2022年09月07日 16時00分公開

CXLメモリの開発に舵を切ったMicron

――Micronは「3D Xpoint」の開発から撤退し、CXL（Compute Express Link）を用いる新しいメモリ製品の開発へ舵を切っています。CXLメモリ市場と、Micronの開発状況について教えてください。

Micron　CXLの利点は、オープンな業界標準インターコネクト規格であるということ、そしてそれはゲームチェンジャーになり得るということだ。MicronはCXLコンソーシアムのメンバー（Board of Directors）として、顧客がデータセンターの可能性を最大限に引き出せるよう、標準化の推進に貢献している。

　CPUコア数とメモリ帯域幅のギャップは、ますます広がっていて、CXLはそうした状況に対応するために必要なインターコネクトだ。当社のCXL関連メモリの開発状況について詳細をお伝えすることはできないが、CXLにより、当社がこれまで実現できなかった革新的な技術を提供することも可能になると確信している。

新興の不揮発メモリ、Micronが開発する可能性は？

――Micronが、NANDフラッシュやDRAM以外の、新興不揮発メモリに取り組む可能性はありますか？

Micron　当社は主にDRAMとNANDフラッシュに多大な投資を行っているが、技術革新の新しいアプローチも継続的に評価している。メモリやストレージをより小型化、高速化し、さまざまなワークロードに最適化するためのアプローチを含む、複数の社内プロジェクトが常に存在している。

　Micronは新しいメモリ技術の探求も続けているが、当社の研究（下の表）では、低レイテンシの揮発性アプリケーションには、依然としてDRAMが最適であることが示されている。


	DRAM	STT-MRAM	PCM／1T1R	クロスポイント RRAM	NANDフラッシュ
読み出し遅延	20ナノ秒	～50ナノ秒	～100-200ナノ秒	～100-200ナノ秒	～10マイクロ秒
書き込み遅延	20ナノ秒	～50ナノ秒	～1マイクロ秒	～1マイクロ秒	～10マイクロ秒
読み出し耐性	＞1e15	＞10¹¹	＞10⁷	＞10⁷	＞10⁷
書き換え耐性	＞1e15	＞10¹¹	＞10⁶	＞10⁶	2K-100K
ビット当たりの書き換えエネルギー	＜10pJ/bit	～25pJ/bit	～100-200pJ/bit	～100-200pJ/bit	＞100pJ/bit
リテンション@RT	～ミリ秒	数カ月	～数年	～数年	何年も持つものも
面密度	1x				～30x

　STT-MRAM（スピン注入磁化反転MRAM）のようなMRAMは、ロジック半導体プロセスへの統合が容易であるという利点があるが、DRAMに比べてレイテンシとエネルギーがやや高く、耐久性に劣る。また、高い密度を実現するには設計上の課題も残る。それ故、ロジック＋STT-MRAMの採用は、まだ先のことになるだろう。PRAM（相変化メモリ）は、より低遅延のブロックストレージ技術として興味深いが、面密度の経済性から、市場に広く展開されるかどうかを見極める必要があるだろう。

　多くの新しいメモリ技術の研究とイノベーションに取り組めるという観点では、エキサイティングな時期ではあるが、これら新しい技術がDRAMとNANDフラッシュを追い越すには、まだ時間がかかるとみている。Micronとしては、技術、市場、エコシステムの全ての準備が整ったときに、新たな技術を市場に投入したいと考えている。

Micron、232層3D NANDフラッシュの量産を開始
Micron Technology（以下、Micron）は2022年7月26日、第6世代の3D（3次元） NAND型フラッシュメモリとして、232層NANDフラッシュの量産を開始したと発表した。6プレーン動作のTLC（Triple Level Cell）を採用し、低電圧インタフェースのNV-LPDDR4に対応する最初の製品となる。
Micronが「3D XPoint」開発から撤退へ、工場も売却
Micron Technology（以下、Micron）は2021年3月16日（米国時間）、同社がIntelと共同開発した不揮発メモリ「3D XPoint」の開発から撤退し、CXL（Compute Express Link）を用いる新しいメモリ製品への開発へとリソースを移行すると発表した。
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す？
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ／メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。
SK hynix、1兆5400億円投じ韓国に新工場建設へ
SK hynixは2022年9月6日（韓国時間）、韓国・清州市に今後5年で15兆ウォン（約1兆5400億円）を投じ新工場「M15X」を建設すると発表した。新工場は2022年10月に着工し、2025年に完成予定だ。
Micronのアイダホ新工場が、米国のDRAM供給を向上させる
Micron Technologyが米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画を発表したことについて、米国の市場調査会社であるIC InsightsのアナリストBrian Matas氏は「半導体製造を米国で行うことは有益だ。CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）は米国の企業が拡張計画を進めるきっかけになった。米国でIC（集積回路）を現地調達できるようになるのは良いことだ」と述べている。
米国の新たな対中国半導体規制、効果に疑問の声
米商務省が、最先端の半導体製造技術の世界輸出に関する新たな規制措置を発表した。AlibabaやBaiduなどの中国半導体メーカーをターゲットにする。しかし、長年にわたり半導体業界に携わってきた観測筋は、「その効果はかなり誇張されており、少なくとも中国メーカーの成長を鈍化させる可能性は低いだろう」とみているようだ。