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» 2022年07月27日 14時00分 公開

Micron、232層3D NANDフラッシュの量産を開始6プレーン動作とNV-LPDDR4を採用

Micron Technology(以下、Micron)は2022年7月26日、第6世代の3D(3次元) NAND型フラッシュメモリとして、232層NANDフラッシュの量産を開始したと発表した。6プレーン動作のTLC(Triple Level Cell)を採用し、低電圧インタフェースのNV-LPDDR4に対応する最初の製品となる。

[村尾麻悠子,EE Times Japan]

 Micron Technology(以下、Micron)は2022年7月26日、第6世代の3D(3次元) NAND型フラッシュメモリとして、232層NANDフラッシュの量産を開始したと発表した。6プレーン動作のTLC(Triple Level Cell)を採用し、低電圧インタフェースのNV-LPDDR4に対応する最初の製品となる。クライアントデバイスやモバイル機器、データセンター、インテリジェントエッジなど、性能向上と低消費電力化のバランスが求められるアプリケーションに適しているとする。

232層の3D NAND型フラッシュメモリ[クリックで拡大] 出所:Micron Technology

 今回発表した232層NANDフラッシュは、前世代の176層NANDフラッシュに比べ、ダイ当たりの書き込み帯域幅は最大100%、読み取り帯域幅は75%以上向上しているとする。I/O速度は2.4Gバイト/秒で、176層NANDフラッシュに比べて50%高速化している。

 232層NANDフラッシュでは、Micronの従来品の中で最も高密度となるTLC(14.6Gビット/mm2)を実現している。面密度は、競合他社品のTLCに比べ35〜100%向上しているという。パッケージサイズは11.5×13.5mmで、前世代品よりも28%小型化した。

 232層NANDフラッシュは、Micronのシンガポール工場で量産される。Micronのテクノロジー/製品担当エグゼクティブバイスプレジデントのScott DeBoer氏はリリースで、「3D NANDでのストレージイノベーションの大きな分岐点となる200層を超える積層数を初めて実現した。同技術には、高アスペクト比の構造を形成する高度なプロセス技術、新しい材料による先進性、176層NANDテクノロジーに基づく最先端の設計技術の進展を含めた、広範なイノベーションが必要だった」と述べている。

232層NANDフラッシュのウエハー[クリックで拡大] 出所:Micron Technology

 Micronは2022年5月に行われた投資家向け説明会で、232層NANDフラッシュの生産を2022年内にも開始すると発表していた。

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