今回は、TSMC、Samsung Electronics(以下、Samsung)、Intelのトランジスタ/製造プロセスのロードマップをまとめる。
この記事は、2022年11月22日発行の「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版11月号」に掲載している記事を転載したものです。
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「ムーアの法則は限界に近づいている」――。そういわれ始めて久しい。半導体業界では既に10年以上前の時点で、あくまでトランジスタの微細化による性能向上を目指す「More Moore」や、デジタル回路以外でも性能向上を目指す「More than Moore」の議論が活発になっていた。近年は、前工程の微細化が物理的、そして何より経済的に限界があることから、チップレットや3次元実装などの後工程への注目が高まっている。とはいえ、FinFETにはじまり、EUV(極端紫外線)リソグラフィーの導入、GAA(Gate-All-Around)、そしてその先と、トランジスタそのものの性能向上に向けた研究開発は現在も続いている。
今回は、TSMC、Samsung Electronics(以下、Samsung)、Intelのトランジスタ/製造プロセスのロードマップをまとめる。
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