SiCエピウエハーの売上高を「5年で5倍に」、レゾナック：事業戦略を発表

レゾナックは2023年4月27日、パワー半導体用のSiCエピウエハーの事業戦略に関する記者説明会を実施した。同社は、「SiCエピウエハー事業の売上高を、5年以内に2022年比で5倍に拡大することを目指す」と述べた。

[半田翔希，EE Times Japan]

　レゾナックは2023年4月27日、同社のパワー半導体用のSiC（炭化ケイ素）エピウエハー事業の事業戦略に関する記者説明会を実施した。同社は半導体／電子材料事業の一環としてSiC基板およびSiCエピウエハーの製造を手掛ける。同社デバイスソリューション事業部 SiC CTOの金澤博氏は、「SiCエピウエハー事業の売上高を、5年以内に2022年比で5倍に拡大することを目指す」と述べた。

レゾナックの事業領域［クリックで拡大］ 出所：レゾナック

　同社は2023年1月、半導体／電子材料事業をコア成長事業に定め、集中的な投資を行うと発表している。2030年には、同事業の売上高比率を約45％（2021年は31％）にまで引き上げる計画だ。

1cm²角チップの合格率95％を保証

　記者説明会では、同社の「品質優位性の保持」「積極的な設備投資による供給力強化」「長期契約による安定供給」という3つの事業目標について説明された。

　「品質優位性の保持」について、同社のデバイスソリューション事業部 事業部長の真壁保志氏は、「SiC基板は、化合物半導体の特性上、きれいな結晶の生成が難しく、欠陥なく製造することは難しい」とした上で、「レゾナックのSiCエピウエハーは、独自の低欠陥化技術により、基底面転位（結晶構造のズレなど）による欠陥をほぼ100％無害化できている。ゴミや異物の混入などの製造上やむを得ない欠陥は発生するが、1cm²角チップの合格率（良品率）95％以上を保証している」と説明した。

今後の事業目標［クリックで拡大］ 出所：レゾナック

　同社は、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業で採択された「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」の活動の1つとして、2030年までにSiCウエハー（6インチ）の欠陥密度を1桁以上削減することを目指している。

ウエハーの大口径化や生産能力を強化

　レゾナックは、SiCエピウエハーの品質向上および安定供給を目的に、2022年3月からSiC基板（6インチ）の量産を開始。同年9月には、国内で初めて国内生産の8インチ基板を使ったSiCエピウエハーのサンプル提供を開始した。記者説明会では、SiCエピウエハーのサンプルが公開された。

8インチSiCエピウエハーを掲げる金澤氏［クリックで拡大］

Infineon Technologiesやロームとも協業

　レゾナックがSiC事業で手掛けるのは、あくまでSiC基板加工やSiCエピウエハーの製造のみで、SiCデバイスの設計や製造は行わない。デバイスメーカーとは競合しないため、各社のSiCデバイスの設計に合わせてエピ層をデザインするなど、デバイスメーカーのパートナー企業として価値を発揮できるとレゾナックは述べる。金澤氏は、同社の特長について、「レゾナックは、カスタムメイドが基本だ。顧客の要望に合わせて製品を加工して提供している。水平分業の立場から、さまざまな企業と協業することでノウハウを蓄積し、高付加価値製品の提供に注力している」と説明した。

レゾナックのビジネスモデル［クリックで拡大］ 出所：レゾナック

　同社は既に、Infineon Technologiesやロームとパワー半導体向けSiCエピタキシャルウエハーに関する供給契約を締結している。

　金澤氏は、「SiCエピウエハーは、材料や製造装置があれば製造できるという簡単なものではない。2000℃を超える高温環境でのバルク結晶成長やエピウエハーの低欠陥化技術など、製造自体が非常に難しい。だからこそ、（日本発の世界トップクラスの機能性化学メーカーを目指す企業として、）SiCパワー半導体を日本国内で開発／製造し、知見を積み重ねていくことに意味があると考えている」と語った。