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xEV用SiC／Siパワー半導体モジュールを開発：インバーターの小型化を可能に

三菱電機は、xEV用インバーターの小型化を可能にするSiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を開発した。2024年3月25日より順次サンプル出荷を始める。

» 2024年01月25日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

SiC-MOSFETなどを搭載、xEVの航続距離延伸と電費改善へ

　三菱電機は2024年1月、xEV（電動車）用インバーターの小型化を可能にするSiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を開発したと発表した。2024年3月25日より順次サンプル出荷を始める。

　J3シリーズとして今回は6製品を発表した。「J3-T-PM」としては、「SiC-MOSFET搭載品」と「RC-IGBT（Si）搭載品」の2製品を用意した。また、アルミフィンにJ3-T-PMを3個搭載した「J3-HEXA-S」や、J3-T-PMを6個搭載した「J3-HEXA-L」も、合計4製品を投入する。

　J3-T-PMは、冷却器とはんだ接合することで、熱抵抗を従来に比べ約30％も低減できる。このため、モジュールのサイズは約40％まで小型化が可能となった。さらに、J3-T-PM内部のインダクタンスは従来に比べ30％低減していて、高速スイッチングにも対応する。

　低損失で高速駆動が可能なトレンチ型のSiC-MOSFETを搭載した製品は、xEVの航続距離延伸と電費改善を可能にする。定格電圧1300V、定格電流350Aである。一方、RC-IGBT（Si）搭載品は、定格電圧750V、定格電流400Aである。RC-IGBT（Si）はIGBTとフリーホイールダイオード（FWD）を1チップに集積し放熱性を向上させた。これにより、パワー半導体モジュールやインバーターを小型化できるという。

　J3-HEXA-Lは、アルミフィンの採用などにより熱抵抗を従来に比べ約20％低減した。小型化も実現している。従来品に比べ、J3-HEXA-Lは約65％、J3-HEXA-Sは約60％も小さくした。

　なお三菱電機は、2024年1月24～26日で開催中の「第38回ネプコンジャパン」（東京ビッグサイト）にて、新製品を展示している。ブースレポートは別途公開する。

左から「J3-T-PM」「J3-HEXA-L」「J3-HEXA-S」の外観［クリックで拡大］出所：三菱電機

新製品の主な仕様［クリックで拡大］出所：三菱電機

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